[發(fā)明專利]基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611029350.6 | 申請日： | 2016-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN106712749B | 公開（公告）日： | 2021-09-21 |
| 發(fā)明（設計）人： | 韓煥菊;李先允;倪喜軍 | 申請（專利權）人： | 南京工程學院 |
| 主分類號： | H03K17/10 | 分類號： | H03K17/10;H03K17/567 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 211167 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 碳化硅 mosfet jfet 混合 高壓 器件 | ||
1.基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件，其特征在于：包括MOSFET、N個JFET、N個JFET驅動電路、混合高壓器件的源極、混合高壓器件的柵極以及混合高壓器件的漏極；
MOSFET的源極與混合高壓器件的源極連接，MOSFET的柵極與混合高壓器件的柵極連接，N個JFET依次串聯(lián)，第i個JFET的漏極與其相鄰的第i+1個JFET的源極連接，i為整數(shù)，0iN，第1個JFET的源極與MOSFET的漏極連接，第N個JFET的漏極與混合高壓器件的漏極連接；
N個JFET驅動電路依次串聯(lián)，第i個JFET驅動電路的輸出端與其相鄰的第i+1個JFET驅動電路的輸入端連接，第1個JFET驅動電路的輸入端與混合高壓器件的柵極連接，N個JFET驅動電路的輸出端分別與N個JFET的柵極連接；
JFET驅動電路包括并聯(lián)的穩(wěn)壓管串、二極管以及電阻電容串聯(lián)回路，穩(wěn)壓管串的陽極、二極管的陽極以及電阻電容串聯(lián)回路的一端連接成第一節(jié)點，第一節(jié)點為JFET驅動電路的輸入端，穩(wěn)壓管串的陰極、二極管的陰極以及電阻電容串聯(lián)回路的另一端連接成第二節(jié)點，第二節(jié)點為JFET驅動電路的輸出端；
還包括MOSFET驅動電阻和N個JFET驅動電阻；MOSFET驅動電阻的一端與MOSFET的柵極連接，另一端與混合高壓器件的柵極連接，JFET驅動電阻兩端分別與JFET驅動電路的輸出端以及該JFET驅動電路驅動的JFET柵極連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件，其特征在于：穩(wěn)壓管串包括若干個串聯(lián)的穩(wěn)壓管，第一個穩(wěn)壓管的陽極作為穩(wěn)壓管串的陽極，最后一個穩(wěn)壓管的陰極作為穩(wěn)壓管串的陰極，兩個相鄰穩(wěn)壓管的陽極與陰極連接。
3.根據(jù)權利要求1所述的基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件，其特征在于：N=5。
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