[發明專利]橫向等離子體/自由基源

有效

• 申請號: 201611028706.4
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN106783499B
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: A·K·薩布萊曼尼;K·甘加基德加;A·喬杜里;J·C·福斯特;N·南塔瓦拉努;K·貝拉;P·A·克勞斯;F·豪斯曼
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23C16/455;C23C16/505
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種等離子體源組件，所述等離子體源組件包括：

楔形的殼體，所述殼體具有界定所述殼體的主軸的內周端部和外周端部、第一側面、第二側面、界定流動路徑的氣體入口和正面，所述氣體入口允許氣流沿著所述流動路徑移動以穿過所述殼體并離開所述正面；

在所述殼體中的RF熱電極，所述RF熱電極具有基本上平行于所述流動路徑定向的第一表面；以及

在所述殼體中的返回電極，所述返回電極具有第一表面，所述第一表面基本上平行于所述流動路徑定向并與所述RF熱電極的所述第一表面相隔開以在所述RF熱電極和所述返回電極之間界定間隙，其中所述間隙界定所述流動路徑。

2.如權利要求1所述的等離子體源組件，進一步包括第二返回電極，所述第二返回電極具有第一表面，所述第一表面基本上平行于所述流動路徑定向并與所述RF熱電極的第二表面相隔開以形成第二間隙，所述RF熱電極的所述第二表面與所述RF熱電極的所述第一表面相對。

3.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述返回電極是接地電極。

4.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述返回電極是不同于所述RF熱電極的通電電極。

5.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中在所述RF熱電極和所述返回電極間的間隙是在4mm至15mm的范圍內。

6.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中在所述RF熱電極和所述返回電極間的間隙從在所述氣體入口附近的較窄間隙變化為在所述正面附近的較寬間隙。

7.如權利要求6所述的等離子體源組件，其中與在所述正面附近相比，在所述氣體入口附近的所述RF熱電極的厚度是較大的。

8.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述RF熱電極具有在3mm至11mm的范圍內的厚度。

9.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述RF熱電極具有在8mm至40mm的范圍內的高度。

10.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述RF熱電極和返回電極沿著所述殼體的主軸延伸。

11.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述RF熱電極和返回電極垂直于所述殼體的主軸延伸。

12.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述RF熱電極具有蛇形形狀且所述返回電極具有互補形狀以沿著所述蛇形形狀的長度基本上維持相同的間隙。

13.如權利要求1所述的等離子體源組件，其中所述RF熱電極具有垂直于所述殼體的主軸延伸的多個指狀件。

14.如權利要求13所述的等離子體源組件，其中所述返回電極具有與所述RF熱電極互補的形狀以在所述RF熱電極和所述返回電極間基本上維持相同的間隙。

15.如權利要求1所述的等離子體源組件，進一步包括在所述RF熱電極的下邊緣附近的間隔件。