[發明專利]一種多步驟干法刻蝕機臺顆粒監測的方法有效
| 申請號： | 201611027701.X | 申請日： | 2016-11-01 |
| 公開（公告）號： | CN106653654B | 公開（公告）日： | 2019-07-12 |
| 發明（設計）人： | 江旻;曾林華;任昱;呂煜坤;朱駿;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;陳慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 步驟 刻蝕 機臺 顆粒 監測 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種多步驟干法刻蝕機臺顆粒監測的方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟1：提供檢測片A，使用單步驟的顆粒監測方法，使用主刻蝕步驟，監測主刻蝕步驟的增加顆粒總數和增加大顆粒數；其中，采用與實際刻蝕步驟相同的反應條件對檢測片A進行刻蝕；
步驟2：提供檢測片B，使用縮短時間的全步驟的顆粒監測方法，縮短每個步驟的反應時間，監測多步驟干法刻蝕工藝的增加總顆粒的分布和增加大顆粒數；其中，設定反應條件，縮短各個步驟的反應時間，其余反應條件不變，然后進行一體化刻蝕；
步驟3：分析步驟1和步驟2的數據，判斷檢測結果，當步驟1和步驟2監測到的數據皆滿足規格要求時，則產品合格，當任意一項數據不滿足規格要求時，則產品不合格。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
