[發明專利]片式電阻器元件及其形成方法

有效

• 申請號: 201611027641.1
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN106960708B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 尹長錫;金亨珉;韓鎮萬
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01C7/00
• 分類號: H01C7/00;H01C1/034;H01C1/142
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉奕晴;金光軍

1.一種片式電阻器元件，包括：

絕緣基板，具有彼此背對的第一表面和第二表面；

電阻器層，設置在絕緣基板的第一表面上；

第一內電極和第二內電極，在絕緣基板的第一表面上設置在電阻器層的相應的側部上，并且連接到電阻器層；

電阻器保護層，覆蓋電阻器層，并且延伸到第一內電極和第二內電極的部分上；

第一電極保護層，設置在第一內電極和第二內電極上以與電阻器保護層的部分重疊，并且包含第一導電粉末顆粒和樹脂；

第二電極保護層，設置在第一電極保護層上，并且包含第二導電粉末顆粒和樹脂，其中，第二電極保護層中的樹脂的重量含量低于第一電極保護層中的樹脂的重量含量；

第一外電極和第二外電極，分別設置在第一內電極和第二內電極上以覆蓋第二電極保護層，并且連接到電阻器保護層。

2.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第一電極保護層包含第一重量比的第一導電粉末顆粒，

第二電極保護層包含第二重量比的第二導電粉末顆粒，其中，第二重量比大于第一重量比。

3.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第二導電粉末顆粒的平均粒徑大于第一導電粉末顆粒的平均粒徑。

4.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第一電極保護層中的樹脂的含量在第一電極保護層的總重量的95wt％至99wt％的范圍內。

5.如權利要求4所述的片式電阻器元件，其中，基于第一電極保護層的總重量，第一導電粉末顆粒包括1wt％至5wt％的碳納米管。

6.如權利要求5所述的片式電阻器元件，其中，碳納米管的長度為5μm至20μm，直徑為3nm至20nm。

7.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第二電極保護層中的樹脂的含量在第二電極保護層的總重量的3wt％至10wt％的范圍內。

8.如權利要求7所述的片式電阻器元件，其中，基于第二電極保護層的總重量，第二導電粉末顆粒包括90wt％至97wt％的CuNi合金粉末顆粒。

9.如權利要求8所述的片式電阻器元件，其中，CuNi合金粉末顆粒的平均粒徑在2μm至30μm的范圍內。

10.如權利要求8所述的片式電阻器元件，其中，CuNi合金粉末顆粒中的Ni的重量比為50wt％或更大。

11.如權利要求8所述的片式電阻器元件，其中，第二導電粉末顆粒還包括碳納米管。

12.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第一內電極和第二內電極包含銀。

13.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第一電極保護層的樹脂與第二電極保護層的樹脂相同。

14.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，電阻器保護層包含與第一電極保護層的樹脂相同的樹脂。

15.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，電阻器保護層包括：第一電阻器保護層，設置在電阻器層上，并且包含玻璃；第二電阻器保護層，設置在第一電阻器保護層上，并且包含樹脂。

16.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第一內電極和第二內電極延伸到絕緣基板的側表面上。

17.如權利要求1所述的片式電阻器元件，其中，第一外電極和第二外電極中的每個包括：第一鍍層，包含鎳；第二鍍層，設置在各個第一鍍層上，并且包含Sn和Pb中的至少一種。