[發(fā)明專利]一種太陽能電池硅片的清洗方法、太陽能電池的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611025279.4 | 申請日: | 2016-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN106409977B | 公開(公告)日: | 2018-02-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田小讓;張林;侯洪濤;趙冠超;谷士斌;楊榮;李立偉;孟原;郭鐵 | 申請(專利權(quán))人: | 新奧光伏能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02;B08B3/08;C30B33/10 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11291 | 代理人: | 黃志華 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 太陽能電池 硅片 清洗 方法 制備 | ||
1.一種太陽能電池硅片的清洗方法,其特征在于,包括:
對太陽能電池硅片進行預(yù)清洗使得所述太陽能電池硅片表面產(chǎn)生氧化;
采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經(jīng)過所述預(yù)清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗;其中,在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,所述氫氟酸的質(zhì)量百分比和雙氧水的質(zhì)量百分比相同;所述氫氟酸的質(zhì)量百分比為0.1wt%至2wt%,所述雙氧水的質(zhì)量百分比為0.1wt%至2wt%,所述鹽酸的質(zhì)量百分比為0.5wt%至5wt%。
2.如權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,采用氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液對經(jīng)過所述預(yù)清洗后的太陽能電池硅片進行刻蝕清洗,具體包括:
將經(jīng)過所述預(yù)清洗后的太陽能電池硅片放入氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中浸泡預(yù)設(shè)時間進行刻蝕清洗后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗。
3.如權(quán)利要求2所述的清洗方法,其特征在于,在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,所述氫氟酸的質(zhì)量百分比為1wt%至1.5wt%,所述雙氧水的質(zhì)量百分比為1wt%至1.5wt%,所述鹽酸的質(zhì)量百分比為1.5wt%至3wt%。
4.如權(quán)利要求2所述的清洗方法,其特征在于,在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中,所述氫氟酸的質(zhì)量百分比為0.1wt%,所述雙氧水的質(zhì)量百分比為0.1wt%,所述鹽酸的質(zhì)量百分比為0.5wt%;或,
所述氫氟酸的質(zhì)量百分比為2wt%,所述雙氧水的質(zhì)量百分比為2wt%,所述鹽酸的質(zhì)量百分比為5wt%;或,
所述氫氟酸的質(zhì)量百分比為1wt%,所述雙氧水的質(zhì)量百分比為1wt%,所述鹽酸的質(zhì)量百分比為3wt%。
5.如權(quán)利要求2所述的清洗方法,其特征在于,所述太陽能電池硅片在所述氫氟酸、雙氧水和鹽酸的混合溶液中的浸泡預(yù)設(shè)時間為0.5min至10min。
6.如權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于,對太陽能電池硅片進行預(yù)清洗使得所述太陽能電池硅片表面產(chǎn)生氧化,具體包括:
將太陽能電池硅片放入氨水和雙氧水的混合溶液中浸泡預(yù)設(shè)時間后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗;
將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入鹽酸和雙氧水的混合溶液中浸泡預(yù)設(shè)時間使得所述太陽能電池硅片表面產(chǎn)生氧化后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗;
在對太陽能電池硅片進行預(yù)清洗之前,還包括:
將太陽能電池硅片放入氫氧化鈉溶液中浸泡預(yù)設(shè)時間后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗;
將完成上述步驟的太陽能電池硅片放入氫氧化鈉和制絨添加劑的混合溶液中,在預(yù)設(shè)時間后取出,并用去離子水對所述太陽能電池硅片進行沖洗。
7.如權(quán)利要求6所述的清洗方法,其特征在于,在所述氨水和雙氧水的混合溶液中,所述氨水的質(zhì)量百分比為29wt%,所述雙氧水的質(zhì)量百分比為30wt%;
在所述鹽酸和雙氧水的混合溶液中,所述鹽酸的質(zhì)量百分比為37wt%,所述雙氧水的質(zhì)量百分比為30wt%;
在所述氫氧化鈉溶液中,所述氫氧化鈉的質(zhì)量百分比為10wt%至30wt%;
在所述氫氧化鈉和制絨添加劑的混合溶液中,所述氫氧化鈉的質(zhì)量百分比為5wt%,所述制絨添加劑的體積百分比為0.3vol%。
8.一種太陽能電池的制備方法,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的清洗方法。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





