[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201611024598.3
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN107026161B
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 金俊德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 路勇

本發明提供一種半導體裝置，其包含第一摻雜區域、第二摻雜區域、以及溝道區域。所述第一摻雜區域摻雜有第一類型的摻雜劑。所述第二摻雜區域摻雜有所述第一類型的摻雜劑。所述溝道區域摻雜有第二類型的摻雜劑，其中所述溝道區域經配置以使第一區域具有第一濃度的所述第二類型的摻雜劑并使第二區域具有第二濃度的所述第二類型的摻雜劑，且所述第二濃度高于所述第一濃度。

技術領域

本發明涉及一種半導體裝置及使用半導體裝置的切換裝置。

背景技術

天線開關是用于將射頻(RF)信號從一個輸入路由到多個輸出路徑的裝置。RF信號可為具有相對較大的擺幅的信號。天線開關是蜂窩式RF前端模塊的第一晶體管級。對于用于第三代(3G)或第四代(4G)應用的天線開關，對諧波抑制的要求相對嚴格。舉例來說，當RF信號的輸入RF功率是33dBm時，由天線開關引起的二次諧波應低于-70dBm。

發明內容

本發明提供一種半導體裝置。所述半導體裝置包括第一摻雜區域、第二摻雜區域、以及溝道區域。所述第一摻雜區域摻雜有第一類型的摻雜劑。所述第二摻雜區域摻雜有所述第一類型的摻雜劑。所述溝道區域摻雜有第二類型的摻雜劑。所述溝道區域經配置以使第一區域具有第一濃度的所述第二類型的摻雜劑并使第二區域具有第二濃度的所述第二類型的摻雜劑，且所述第二濃度高于所述第一濃度。

本發明也提供一種半導體裝置。所述半導體裝置包括第一摻雜區域、第二摻雜區域、以及溝道區域。所述第一摻雜區域摻雜有第一類型的摻雜劑。所述第二摻雜區域摻雜有所述第一類型的摻雜劑。所述溝道區域摻雜有第二類型的摻雜劑。所述溝道區域和所述第一摻雜區域經配置以形成第一PIN(p本征n)二極管。

本發明更提供一種切換裝置。所述切換裝置包括第一晶體管。所述第一晶體管經布置以根據第一控制信號選擇性地將第一連接端子耦合到第二連接端子，所述第一晶體管包括第一摻雜區域、第二摻雜區域、以及第一溝道區域。所述第一摻雜區域摻雜有第一類型的摻雜劑且耦合到所述第一連接端子。所述第二摻雜區域摻雜有所述第一類型的摻雜劑且耦合到所述第二連接端子。所述第一溝道區域摻雜有第二類型的摻雜劑且受所述第一控制信號控制。所述第一溝道區域經配置以使第一區域具有第一濃度的所述第二類型的摻雜劑并使第二區域具有第二濃度的所述第二類型的摻雜劑，且所述第二濃度高于所述第一濃度。

根據本發明，當第一PIN二極管形成于MOSFET的溝道區域與漏極區域之間和/或第二PIN二極管形成于溝道區域與源極區域之間時，MOSFET的接通電阻不受漏極端子與源極端子之間的電壓影響。此外，MOSFET的斷開電容不受MOSFET的漏極端子與源極端子之間的電壓影響。當MOSFET用于形成切換裝置時，切換裝置的諧波功率顯著減小。

附圖說明

在結合附圖閱讀時，從以下詳細描述最佳地理解本發明的各方面。應注意，根據行業中的標準慣例，各種特征件并非按比例繪制。事實上，為使論述清楚，可任意增大或減小各種特征件的尺寸。

圖1是說明根據一些實施例的切換裝置的圖。

圖2是說明根據一些實施例的開關單元的圖。

圖3是說明根據一些實施例的晶體管的橫截面圖的圖。

圖4是說明根據一些實施例的對應于接通的開關單元的漏極端子與源極端子之間的電壓的電阻的變化的圖。

圖5是說明根據一些實施例的切換裝置的等效電路的圖。

圖6是說明根據一些實施例的MOSFET的橫截面圖的圖。

圖7是說明根據一些實施例的MOSFET的橫截面圖的圖。

圖8是說明根據一些實施例的對應于斷開的開關單元的漏極端子與源極端子之間的電壓的電容的變化的圖。

圖9是說明根據一些實施例的MOSFET的橫截面圖的圖。