[發明專利]半導體裝置結構在審
| 申請號： | 201611024334.8 | 申請日： | 2016-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN106898608A | 公開（公告）日： | 2017-06-27 |
| 發明（設計）人： | 李東穎;葉致鍇;徐振峰 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/06 | 分類號： | H01L27/06;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司72003 | 代理人： | 李昕巍,鄭特強 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置結構，包括：
半導體基底；
第一半導體層及第二半導體層，縱向地堆疊于該半導體基底上，其中該第一半導體層及該第二半導體層包含不同的材料；
柵極堆疊，覆蓋該第一半導體層的第一部分；以及
間隔元件，位于該柵極堆疊的側壁上，其中該間隔元件覆蓋該第二半導體層以及該第一半導體層的第二部分，且其中該第二半導體層的厚度不同于該第二部分的厚度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
