[發明專利]在基體的表面形成凸起結構的方法

有效

• 申請號: 201611024171.3
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN108074806B
• 公開（公告）日: 2020-05-26
• 發明（設計）人: 丁劉勝
• 申請（專利權）人: 上海新微技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/027;G03F7/20;G03F7/00
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞

1.一種在基體的表面形成凸起結構的方法，其特征在于，該方法包括：

在基體的表面形成犧牲層；

在所述犧牲層表面形成第一掩模層；

在所述第一掩模層中形成開口圖形，并對從所述開口圖形底部露出的所述犧牲層進行蝕刻，以在所述犧牲層中形成與該開口圖形對應的凹陷部，所述基體的表面從所述凹陷部的底部露出,所述凹陷部的側壁為曲面；

去除所述第一掩模層的剩余部分；

在所述凹陷部內填充第二掩模層材料，以形成與所述凹陷部的形狀對應的第二掩模層圖形；

去除所述犧牲層的剩余部分，并在所述基體的表面保留所述第二掩模層圖形；

以所述第二掩模層圖形為蝕刻掩模，對所述基體的表面進行蝕刻，以在所述基體的表面形成凸起結構,

其中，在基體的表面形成犧牲層包括：

在所述基體的表面形成第一光刻膠層；以及

對所述第一光刻膠層進行全面曝光，以將所述第一光刻膠層轉化為所述犧牲層,

所述第一掩模層是第二光刻膠層，

形成所述開口圖形和所述凹陷部的步驟包括:

對所述第一掩模層進行曝光；

使用顯影液，對曝光后的第一掩模層進行顯影處理，以形成所述開口圖形；以及

對從所述開口圖形露出的所述犧牲層進行顯影處理，以形成所述凹陷部。

2.如權利要求1所述的在基體的表面形成凸起結構的方法，其特征在于，形成所述第二掩模層圖形包括：

在所述犧牲層的整個表面沉積所述第二掩模層材料，其中，所述第二掩模層材料被填充于所述凹陷部內；以及

去除所述凹陷部之外的所述第二掩模層材料，僅保留凹陷部內的第二掩模層材料，以形成與所述凹陷部的形狀對應的所述第二掩模層圖形。

3.如權利要求1所述的在基體的表面形成凸起結構的方法，其特征在于，所述方法還包括：

對于在所述基體的表面保留的所述第二掩模層圖形進行，使所述第二掩模層圖形的邊角光滑的處理。