[發(fā)明專利]研磨方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611023375.5
• 申請日: 2016-11-21
• 公開（公告）號: CN106863108B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小林洋一;鹽川陽一;渡邊和英
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社荏原制作所
• 主分類號: B24B37/10
• 分類號: B24B37/10;B24B37/34
• 代理公司: 上海華誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31300
• 代理人: 肖華

1.一種研磨方法，是對在表面形成有凸部的晶片進(jìn)行研磨的方法，其特征在于，

該研磨方法包括如下工序：

使支承研磨墊的研磨臺旋轉(zhuǎn)，

將晶片的表面按壓于所述研磨墊，

在所述研磨臺最近的規(guī)定次數(shù)的旋轉(zhuǎn)期間內(nèi)取得來自設(shè)置于所述研磨臺的膜厚傳感器的多個膜厚信號，

根據(jù)所述多個膜厚信號決定最近的多個測定膜厚，

基于所述最近的多個測定膜厚決定所述凸部的最頂部的推定膜厚，

基于所述凸部的最頂部的推定膜厚對晶片的研磨進(jìn)行監(jiān)視。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：

對由所述最近的多個測定膜厚和所對應(yīng)的所述研磨臺的旋轉(zhuǎn)次數(shù)特定的多個數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行回歸分析而決定回歸線，

通過將所述研磨臺的當(dāng)前的旋轉(zhuǎn)次數(shù)代入表示所述回歸線的函數(shù)來決定推定膜厚。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的研磨方法，其特征在于，

決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序還包括如下工序：

在決定了所述回歸線之后將位于所述回歸線下側(cè)的數(shù)據(jù)點(diǎn)中的至少1個數(shù)據(jù)點(diǎn)從所述多個數(shù)據(jù)點(diǎn)排除，

對所述多個數(shù)據(jù)點(diǎn)中的將所述至少1個數(shù)據(jù)點(diǎn)排除后所剩余的數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行回歸分析而決定新的回歸線，

通過將所述研磨臺的當(dāng)前的旋轉(zhuǎn)次數(shù)代入表示所述新的回歸線的函數(shù)來決定推定膜厚。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：

對由所述最近的多個測定膜厚和所對應(yīng)的所述研磨臺的旋轉(zhuǎn)次數(shù)特定的多個數(shù)據(jù)點(diǎn)進(jìn)行回歸分析而決定回歸線，

通過將規(guī)定的偏置值與將所述研磨臺的當(dāng)前的旋轉(zhuǎn)次數(shù)代入表示所述回歸線的函數(shù)而獲得的值相加，來決定推定膜厚。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：

生成所述最近的多個測定膜厚的概率分布，

決定更小的測定膜厚的概率成為規(guī)定的值的推定膜厚。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

所述膜厚傳感器是具有脈沖點(diǎn)亮光源的光學(xué)式傳感器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

所述膜厚傳感器是渦電流傳感器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述凸部的最頂部的推定膜厚決定晶片的研磨終點(diǎn)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述凸部的最頂部的推定膜厚變更晶片的研磨條件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，

基于所述凸部的最頂部的推定膜厚的當(dāng)前值和過去值，在所述膜厚傳感器接下來取得膜厚信號之前，對所述凸部的最頂部的膜厚進(jìn)行預(yù)測，基于預(yù)測出的所述膜厚決定晶片的研磨終點(diǎn)。