[發明專利]研磨方法有效
| 申請號： | 201611023375.5 | 申請日： | 2016-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN106863108B | 公開（公告）日： | 2019-06-25 |
| 發明（設計）人： | 小林洋一;鹽川陽一;渡邊和英 | 申請（專利權）人： | 株式會社荏原制作所 |
| 主分類號： | B24B37/10 | 分類號： | B24B37/10;B24B37/34 |
| 代理公司： | 上海華誠知識產權代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖華 |
| 地址： | 日本東京都*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 膜厚 研磨 研磨臺 晶片 研磨墊 最頂部 凸部 推定 膜厚傳感器 表面按壓 表面形成 測定位置 支承 監視 | ||
1.一種研磨方法，是對在表面形成有凸部的晶片進行研磨的方法，其特征在于，
該研磨方法包括如下工序：
使支承研磨墊的研磨臺旋轉，
將晶片的表面按壓于所述研磨墊，
在所述研磨臺最近的規定次數的旋轉期間內取得來自設置于所述研磨臺的膜厚傳感器的多個膜厚信號，
根據所述多個膜厚信號決定最近的多個測定膜厚，
基于所述最近的多個測定膜厚決定所述凸部的最頂部的推定膜厚，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚對晶片的研磨進行監視。
2.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：
對由所述最近的多個測定膜厚和所對應的所述研磨臺的旋轉次數特定的多個數據點進行回歸分析而決定回歸線，
通過將所述研磨臺的當前的旋轉次數代入表示所述回歸線的函數來決定推定膜厚。
3.根據權利要求2所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序還包括如下工序：
在決定了所述回歸線之后將位于所述回歸線下側的數據點中的至少1個數據點從所述多個數據點排除，
對所述多個數據點中的將所述至少1個數據點排除后所剩余的數據點進行回歸分析而決定新的回歸線，
通過將所述研磨臺的當前的旋轉次數代入表示所述新的回歸線的函數來決定推定膜厚。
4.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：
對由所述最近的多個測定膜厚和所對應的所述研磨臺的旋轉次數特定的多個數據點進行回歸分析而決定回歸線，
通過將規定的偏置值與將所述研磨臺的當前的旋轉次數代入表示所述回歸線的函數而獲得的值相加，來決定推定膜厚。
5.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
決定所述凸部的最頂部的推定膜厚的工序是如下工序：
生成所述最近的多個測定膜厚的概率分布，
決定更小的測定膜厚的概率成為規定的值的推定膜厚。
6.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
所述膜厚傳感器是具有脈沖點亮光源的光學式傳感器。
7.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
所述膜厚傳感器是渦電流傳感器。
8.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚決定晶片的研磨終點。
9.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚變更晶片的研磨條件。
10.根據權利要求1所述的研磨方法，其特征在于，
基于所述凸部的最頂部的推定膜厚的當前值和過去值，在所述膜厚傳感器接下來取得膜厚信號之前，對所述凸部的最頂部的膜厚進行預測，基于預測出的所述膜厚決定晶片的研磨終點。
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