[發(fā)明專利]具有線形翅片場(chǎng)效應(yīng)結(jié)構(gòu)的電路

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611023356.2
• 申請(qǐng)日: 2013-01-13
• 公開（公告）號(hào): CN107424999A
• 公開（公告）日: 2017-12-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S.T.貝克;M.C.斯梅林;D.甘地;J.馬利;C.朗貝爾;J.R.匡特;D.福克斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 特拉創(chuàng)新公司
• 主分類號(hào): H01L27/105
• 分類號(hào): H01L27/105;H01L29/417
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 王健,陳嵐

1.一種集成電路，包括：

第一晶體管類型的第一翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第二晶體管類型的第一翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第一晶體管類型的第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第二晶體管類型的第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第一晶體管類型的第一和第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)以及第二晶體管類型的第一和第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)具有相應(yīng)的在平行方向縱向延伸的柵極電極，第一晶體管類型的第一翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二晶體管類型的第一翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電極具有其基本上與在平行方向上延伸的公共柵極電極軌道對(duì)準(zhǔn)的縱向中心線，第一晶體管類型的第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二晶體管類型的第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電極被定位在公共柵極電極軌道的相對(duì)側(cè)上，

第一晶體管類型的第一和第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)部分由電連接到公共節(jié)點(diǎn)的第一擴(kuò)散類型的相應(yīng)擴(kuò)散翅片形成，

第二晶體管類型的第一和第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)部分由電連接到公共節(jié)點(diǎn)的第二擴(kuò)散類型的相應(yīng)擴(kuò)散翅片形成，第一擴(kuò)散類型的擴(kuò)散翅片由內(nèi)部非擴(kuò)散區(qū)域在平行方向上與第二擴(kuò)散類型的擴(kuò)散翅片共同地分離，

第一晶體管類型的第一翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二晶體管類型的第一翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管二者的柵極電極由第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成，以通過(guò)第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)電連接到彼此，第一晶體管類型的第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電極由第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成，第二晶體管類型的第二翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極電極由第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)形成，第一、第二和第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)包括在內(nèi)部非擴(kuò)散區(qū)域上延伸的部分；

第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)連接到在內(nèi)部非擴(kuò)散區(qū)域上延伸的第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的部分；以及

第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)連接到在內(nèi)部非擴(kuò)散區(qū)域上延伸的第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的部分，第一和第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)分別被限定為柵極接觸或局部互連結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一端和第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的至少一端在平行方向上與第一公共位置對(duì)準(zhǔn)。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中第一導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)的至少部分和第二導(dǎo)電接觸結(jié)構(gòu)的至少部分在平行方向上與第二公共位置對(duì)準(zhǔn)。

4.如權(quán)利要求3所述的集成電路，還包括：

第一晶體管類型的第三翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第二晶體管類型的第三翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第一晶體管類型的第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第二晶體管類型的第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第一晶體管類型的第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)以及第二晶體管類型的第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)具有相應(yīng)的在平行方向縱向延伸的柵極電極，

第一晶體管類型的第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的每個(gè)柵極電極和第二晶體管類型的第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的每個(gè)柵極電極形成為對(duì)應(yīng)的線形形狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的一部分，以及

第一、第二和第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)具有線形形狀。

5.如權(quán)利要求4所述的集成電路，還包括：

非晶體管線形形狀柵極層級(jí)特征，其中形成第一晶體管類型的第一、第二、第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二晶體管類型的第一、第二、第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的至少一個(gè)柵極電極的每個(gè)線形形狀導(dǎo)電結(jié)構(gòu)被根據(jù)柵極間距定位，所述柵極間距被限定為在相鄰柵極層級(jí)特征之間在第二方向上測(cè)量的相等的中心至中心間隔，所述第二方向垂直于平行方向，并且其中非晶體管線形形狀柵極層級(jí)特征也被根據(jù)所述柵極間距定位。

6.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)通過(guò)部分通過(guò)單個(gè)互連層級(jí)延伸的電連接而電連接到第三導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求6所述的集成電路，還包括：

第一晶體管類型的第三翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第二晶體管類型的第三翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第一晶體管類型的第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第二晶體管類型的第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管；

第一晶體管類型的第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)以及第二晶體管類型的第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的每一個(gè)具有相應(yīng)的在平行方向縱向延伸的柵極電極，

第一晶體管類型的第一、第二、第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管和第二晶體管類型的第一、第二、第三和第四翅片場(chǎng)效應(yīng)晶體管的每個(gè)柵極電極根據(jù)柵極間距定位，所述柵極間距被限定為在相鄰柵極電極之間在第二方向上測(cè)量的相等的中心至中心間隔，所述第二方向垂直于平行方向。