[發明專利]能夠快速寫入/讀取數據的存儲電路有效
| 申請號: | 201611022734.5 | 申請日: | 2016-11-21 |
| 公開(公告)號: | CN107017012B | 公開(公告)日: | 2020-12-01 |
| 發明(設計)人: | 夏浚;張正男;宋玉惠 | 申請(專利權)人: | 鈺創科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/10 | 分類號: | G11C7/10;G11C7/12;G11C8/08 |
| 代理公司: | 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 能夠 快速 寫入 讀取 數據 存儲 電路 | ||
本發明公開了一種能夠快速寫入/讀取數據的存儲電路。所述存儲電路包含多個存儲區塊和一控制器,所述多個存儲區塊中的每一存儲區塊包含多個存儲區段,且所述多個存儲區段中的每一存儲區段包含多條位線和多條字符線。當所述控制器啟用對應一存儲區段的一字符線的激活指令后,對應所述字符線的字符開關開啟且數據依序寫入所述存儲區段內耦接于所述存儲區段的多條位線且對應所述字符線的存儲單元;當所述控制器啟用至少一復制列寫入指令時,所述數據被同時寫入與所述存儲區段的多條位線共享多個讀出放大器且對應至少一其他字符線的存儲單元。如此,本發明可縮短所述數據被寫入對應所述至少一其他字符線的存儲單元的時間。
技術領域
本發明涉及一種存儲電路,尤其涉及一種能夠快速寫入/讀取數據的存儲電路。
背景技術
當耦接于存儲電路的一應用單元欲寫入數據至對應所述存儲電路的一存儲區塊的一存儲區段內一字符線WL1的存儲單元時,所述存儲電路的控制器會先啟用對應字符線WL1的激活(active)指令ACTWL1(如圖1所示)。然后在所述控制器啟用激活指令ACTWL1后,對應字符線WL1的一字符開關即可根據激活指令ACTWL1開啟。在所述控制器啟用激活指令ACTWL1后,所述控制器接著啟用一寫入指令WRC。然后在所述控制器啟用寫入指令WRC后,所述存儲區段內對應字符線WL1的存儲單元的位開關即可根據寫入指令WRC開啟,其中所述位開關的數量為M,且M為大于1的整數。因此,在所述位開關開啟后,所述數據即可依序寫入對應字符線WL1的存儲單元。
如圖1所示,因為所述位開關是根據寫入指令WRC開啟,所以在激活指令ACT之后,寫入指令WRC必須包含M個使所述位開關開啟的時鐘信號,其中寫入所述數據至對應字符線WL1的存儲單元的時間至少包含M個時鐘信號的時間和激活指令ACTWL1的時間。另外,在寫入指令WRC之后,所述控制器會啟用對應字符線WL1的地址的一預充電指令PREC,且對應字符線WL1的字符開關即可根據預充電指令PREC關閉。
如圖1所示,如果所述應用單元欲寫入所述數據至對應所述存儲區段內一字符線WLM的存儲單元,則上述寫入所述數據至對應字符線WL1的存儲單元的步驟必須再重復一次,也就是說雖然所述應用單元是寫入同樣數據(所述數據)至對應字符線WLM的存儲單元,但寫入所述同樣數據(所述數據)至對應字符線WLM的存儲單元還是必須要花至少包含M個時鐘信號的時間和激活指令ACTWLM的時間,其中圖1是說明所述控制器所啟用的激活指令ACTWL1、ACTWLM、寫入指令WRC和預充電指令PREC的時序。因此,對于所述存儲電路而言,現有技術并不是一個好的操作方案。
發明內容
本發明的一實施例公開一種能夠快速寫入數據的存儲電路。所述存儲電路包含多個存儲區塊和一控制器,所述多個存儲區塊中的每一存儲區塊包含多個存儲區段,且所述多個存儲區段中的每一存儲區段包含多條位線和多條字符線。在所述數據依序寫入一存儲區段內耦接于所述存儲區段內的多條位線且對應所述存儲區段內的一字符線的存儲單元后且當所述控制器啟用至少一復制列(copy row)寫入指令時,所述數據被同時寫入與所述存儲區段的多條位線共享多個讀出放大器且對應至少一其他字符線的存儲單元,其中所述至少一其他字符線對應所述至少一復制列寫入指令。
本發明的另一實施例公開一種能夠快速讀取數據的存儲電路。所述存儲電路包含多個存儲區塊和一控制器,所述多個存儲區塊中的每一存儲區塊包含多個存儲區段,且所述多個存儲區段中的每一存儲區段包含多條位線和多條字符線。在所述數據依序寫入一存儲區段內耦接于所述存儲區段內的多條位線且對應所述存儲區段內的一字符線的存儲單元后,所述控制器控制對應所述字符線的字符開關關閉,當所述控制器啟用對應所述字符線的激活指令時,對應所述字符線的字符開關開啟,所述數據被讀取至耦接所述存儲區段的多條位線的多個讀出放大器,以及所述多個讀出放大器同時將所述數據寫入與所述存儲區段的多條位線共享所述多個讀出放大器且對應至少一其他字符線的存儲單元。
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