[發(fā)明專利]浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611022589.0 | 申請日： | 2016-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN108070901A | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 三重野文健 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/16 | 分類號： | C30B13/16;C30B13/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 激光器 反射環(huán) 射頻線圈 浮區(qū)法 晶體的 原料硅 生長 加熱效率 加熱 輔助加熱系統(tǒng) 晶體生長過程 多次反射 上下兩側(cè) 加熱源 熔區(qū) 反射 激光 外圍 配合 | ||
1.一種浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于，所述浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備包括：
射頻線圈；
輔助加熱系統(tǒng)，包括反射環(huán)及激光器，所述反射環(huán)位于所述射頻線圈上下兩側(cè)，所述激光器與所述反射環(huán)適于在晶體生長過程中配合為位于所述反射環(huán)內(nèi)側(cè)的原料硅錠加熱以形成熔區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于：所述反射環(huán)上設(shè)有若干個開口，所述激光器位于所述反射環(huán)外側(cè)，且所述激光器的發(fā)射端與所述開口對應(yīng)設(shè)置，以確保所述激光器發(fā)射的激光可以經(jīng)由所述開口射入所述反射環(huán)內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于：所述激光器的數(shù)量與所述開口的數(shù)量相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于：所述激光器與所述反射環(huán)位于同一平面內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于：所述激光器包括IR激光器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于：所述激光器包括UV激光器。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于：所述激光器包括IR激光器及UV激光器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備，其特征在于，所述浮區(qū)法生長晶體的設(shè)備還包括：
單晶生長室，所述射頻線圈及所述反射環(huán)均位于所述單晶生長室內(nèi)；
高頻振蕩器，與所述射頻線圈相連接，適于驅(qū)動所述射頻線圈工作；
上連接軸，部分位于所述單晶生長室內(nèi)；
上部夾具，位于所述單晶生長室內(nèi)，與所述上連接軸相連接，適于固定原料硅錠；
下連接軸，部分位于所述單晶生長室內(nèi)；
下部夾具，位于所述單晶生長室內(nèi)，與所述下連接軸相連接，適于固定籽晶；
所述上連接軸及所述下連接軸適于帶動所述原料硅錠及所述籽晶旋轉(zhuǎn)并沿豎直方向運動。
9.一種浮區(qū)法生長晶體的方法，其特征在于，在晶體生長過程中，使用如權(quán)利要求1至7中任一項所述的輔助加熱系統(tǒng)為原料硅錠加熱以形成熔區(qū)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的浮區(qū)法生長晶體的方法，其特征在于：在晶體生長過程中，所述原料硅錠自上至下運動。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的浮區(qū)法生長晶體的方法，其特征在于：在晶體生長過程中，所述原料硅錠自上至下運動的同時，以所述原料硅錠的中心軸為旋轉(zhuǎn)軸速度旋轉(zhuǎn)。
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