[發明專利]浮區法生長晶體的設備及方法在審
| 申請號： | 201611022589.0 | 申請日： | 2016-11-17 |
| 公開（公告）號： | CN108070901A | 公開（公告）日： | 2018-05-25 |
| 發明（設計）人： | 三重野文健 | 申請（專利權）人： | 上海新昇半導體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B13/16 | 分類號： | C30B13/16;C30B13/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 201306 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光器 反射環 射頻線圈 浮區法 晶體的 原料硅 生長 加熱效率 加熱 輔助加熱系統 晶體生長過程 多次反射 上下兩側 加熱源 熔區 反射 激光 外圍 配合 | ||
1.一種浮區法生長晶體的設備，其特征在于，所述浮區法生長晶體的設備包括：
射頻線圈；
輔助加熱系統，包括反射環及激光器，所述反射環位于所述射頻線圈上下兩側，所述激光器與所述反射環適于在晶體生長過程中配合為位于所述反射環內側的原料硅錠加熱以形成熔區。
2.根據權利要求1所述的浮區法生長晶體的設備，其特征在于：所述反射環上設有若干個開口，所述激光器位于所述反射環外側，且所述激光器的發射端與所述開口對應設置，以確保所述激光器發射的激光可以經由所述開口射入所述反射環內。
3.根據權利要求2所述的浮區法生長晶體的設備，其特征在于：所述激光器的數量與所述開口的數量相同。
4.根據權利要求1所述的浮區法生長晶體的設備，其特征在于：所述激光器與所述反射環位于同一平面內。
5.根據權利要求1所述的浮區法生長晶體的設備，其特征在于：所述激光器包括IR激光器。
6.根據權利要求1所述的浮區法生長晶體的設備，其特征在于：所述激光器包括UV激光器。
7.根據權利要求1所述的浮區法生長晶體的設備，其特征在于：所述激光器包括IR激光器及UV激光器。
8.根據權利要求1至7中任一項所述浮區法生長晶體的設備，其特征在于，所述浮區法生長晶體的設備還包括：
單晶生長室，所述射頻線圈及所述反射環均位于所述單晶生長室內；
高頻振蕩器，與所述射頻線圈相連接，適于驅動所述射頻線圈工作；
上連接軸，部分位于所述單晶生長室內；
上部夾具，位于所述單晶生長室內，與所述上連接軸相連接，適于固定原料硅錠；
下連接軸，部分位于所述單晶生長室內；
下部夾具，位于所述單晶生長室內，與所述下連接軸相連接，適于固定籽晶；
所述上連接軸及所述下連接軸適于帶動所述原料硅錠及所述籽晶旋轉并沿豎直方向運動。
9.一種浮區法生長晶體的方法，其特征在于，在晶體生長過程中，使用如權利要求1至7中任一項所述的輔助加熱系統為原料硅錠加熱以形成熔區。
10.根據權利要求9所述的浮區法生長晶體的方法，其特征在于：在晶體生長過程中，所述原料硅錠自上至下運動。
11.根據權利要求10所述的浮區法生長晶體的方法，其特征在于：在晶體生長過程中，所述原料硅錠自上至下運動的同時，以所述原料硅錠的中心軸為旋轉軸速度旋轉。
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