[發明專利]一種石墨烯碳納米管復合薄膜及其制備方法與應用

有效

• 申請號: 201611022144.2
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號: CN108070891B
• 公開（公告）日: 2020-08-07
• 發明（設計）人: 楊連喬;陳章福;徐小雪;張建華;殷錄橋;吳行陽;廖威;李起鳴;特洛伊·喬納森·貝克
• 申請（專利權）人: 上海大學;鎵特半導體科技（上海）有限公司
• 主分類號: C25D9/04
• 分類號: C25D9/04;C23C16/26;C23C28/04;H01L23/492;H01L23/373;H01L23/42
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

1.一種石墨烯碳納米管復合薄膜的應用，其特征在于，所述石墨烯碳納米管復合薄膜的制備方法包括如下步驟：

S1：提供一基底，所述基底整體或至少有一面的材質為石墨烯催化劑；

S2：提供銅箔作為電鍍陽極，進行電鍍，使碳納米管附著在所述基底表面，且所述碳納米管未覆蓋滿所述石墨烯催化劑，所述電鍍使用的混合液包括水、乙醇、磷酸、異丙醇及尿素；

S3：采用化學氣相沉積法在所述基底具有所述石墨烯催化劑的一面繼續生長石墨烯，得到石墨烯碳納米管復合薄膜；

所述應用是將所述石墨烯碳納米管復合薄膜連同所述基底作為芯片的散熱基板，其中，所述石墨烯碳納米管復合薄膜位于所述芯片與所述基底之間。

2.根據權利要求1所述的石墨烯碳納米管復合薄膜的應用，其特征在于：所述石墨烯催化劑包括Cu、Ni、Au、Pt、Ge、Fe、Cu/Ni合金中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的石墨烯碳納米管復合薄膜的應用，其特征在于：所述化學氣相沉積法為普通化學氣相沉積法、等離子輔助的化學氣相沉積法或微波輔助的化學氣相沉積法。

4.根據權利要求1所述的石墨烯碳納米管復合薄膜的應用，其特征在于：所述碳納米管包括單壁碳納米管及多壁碳納米管中的一種或多種，所述石墨烯包括單層石墨烯或多層石墨烯中的一種或多種。

5.根據權利要求1所述的石墨烯碳納米管復合薄膜的應用，其特征在于：于所述步驟S2中，電鍍得到碳納米管包括如下步驟：提供包含碳納米管的所述混合液，將所述基底連接到直流電源的陰極，將所述銅箔連接到直流電源的陽極，將所述基底及所述銅箔面對面放置，浸泡在所述混合液中，然后通電預設時間。

6.根據權利要求5所述的石墨烯碳納米管復合薄膜的應用，其特征在于：進行電鍍時，所述直流電源的電壓參數設置為1-20V、電流參數設置為0.1-5A。

7.根據權利要求1所述的石墨烯碳納米管復合薄膜的應用，其特征在于：所述芯片為混合型肖特基二極管。