[發(fā)明專利]電子元件的制造方法及層疊體

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611020516.8
• 申請(qǐng)日: 2016-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN107039327B
• 公開（公告）日: 2020-02-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柿村崇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社斯庫林集團(tuán)
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L51/56
• 代理公司: 11205 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 馬爽;臧建明

本發(fā)明涉及一種電子元件的制造方法及層疊體。本發(fā)明涉及一種在制造電子元件時(shí)可將層疊體中的基層與電子元件良好地剝離的技術(shù)。當(dāng)一面向腔室內(nèi)供給含有氫的氣體，一面在該腔室內(nèi)形成類金剛石碳層時(shí)，調(diào)整相對(duì)于供給至基層的一方向側(cè)的碳的供給量的氫的供給量的比率。類金剛石碳層作為通過使該層中的氫成分進(jìn)行氣化而從基層上剝離電子元件的剝離層發(fā)揮功能。因此，通過事先調(diào)整類金剛石碳層中的氫含有率，其后可從基層上良好地剝離電子元件。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種在制造電子元件時(shí)，從層疊體中的基層上剝離電子元件的技術(shù)。

背景技術(shù)

就用于便攜式機(jī)器等的觀點(diǎn)而言，具有柔性的電子元件的制造技術(shù)正受到矚目。例如，已知有在具有柔性的塑料膜上形成發(fā)光元件來制造電致發(fā)光(electro-luminescence)顯示裝置(以下，稱為EL顯示裝置)的技術(shù)。

然而，當(dāng)在具有柔性的塑料膜上形成發(fā)光元件來制造EL顯示裝置時(shí)，對(duì)形狀不穩(wěn)定的對(duì)象物執(zhí)行用以制造EL顯示裝置的各處理，而難以制造具有良好的電特性的EL顯示裝置。

例如，在專利文獻(xiàn)1中公開有如下的技術(shù)：在基層上形成剝離層，并在剝離層上形成電子元件，獲得包含基層與剝離層及電子元件的層疊體后，以剝離層為界線從基層上剝離電子元件，由此制造電子元件。

在該技術(shù)中，通過將玻璃基板等剛性材料用作基層，即便在電子元件具有柔性的情況下，生成層疊體的過程的中間體作為整體也具有剛性。因此，可對(duì)形狀穩(wěn)定的中間體執(zhí)行用以形成電子元件的各處理，而可制造具有良好的電特性的電子元件。

另外，在專利文獻(xiàn)1中公開有如下的技術(shù)：將非晶硅層或類金剛石碳(Diamond-Like Carbon)層(以下，稱為DLC層)等含有氫的層用作剝離層，并對(duì)該剝離層照射激光，由此使剝離層中的氫進(jìn)行氣化，并以剝離層為界線從基層上剝離電子元件。在該技術(shù)中，通過剝離層中所產(chǎn)生的氫氣來促進(jìn)基層與電子元件的剝離，因此在剝離時(shí)減少對(duì)基層或電子元件所造成的損害。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)]

[專利文獻(xiàn)1]日本專利特開2009-260387號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

[發(fā)明所要解決的問題]

然而，在專利文獻(xiàn)1中，關(guān)于為了從基層上良好地剝離電子元件而要求的剝離層的性質(zhì)，除了在剝離層中含有氫這一點(diǎn)以外，無任何公開。因此，需要對(duì)于所述性質(zhì)的新的見解。

關(guān)于該見解，并不限于制造具有柔性的電子元件的情況或?qū)傂圆牧嫌米骰鶎拥那闆r，而在以剝離層為界線從基層上剝離電子元件的整個(gè)技術(shù)中需要。

本發(fā)明鑒于此種課題，目的在于提供一種在制造電子元件時(shí)可將層疊體中的基層與電子元件良好地剝離的技術(shù)。

[解決問題的技術(shù)手段]

本發(fā)明的第1種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法包括：類金剛石碳層形成步驟，一面向腔室內(nèi)供給含有氫的氣體，一面在所述腔室內(nèi)在基層的一方向側(cè)形成類金剛石碳層；電子元件形成步驟，在所述類金剛石碳層的所述一方向側(cè)形成電子元件，而獲得具有所述基層與所述類金剛石碳層及所述電子元件的層疊體；以及剝離步驟，使所述類金剛石碳層中的氫成分進(jìn)行氣化而從所述基層上剝離所述電子元件；且在所述類金剛石碳層形成步驟中，調(diào)整相對(duì)于供給至所述基層的所述一方向側(cè)的碳的供給量的所述氫的供給量的比率。

本發(fā)明的第2種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法根據(jù)本發(fā)明的第1種實(shí)現(xiàn)方式的電子元件的制造方法：在所述類金剛石碳層形成步驟中，以所述比率經(jīng)時(shí)地變化的方式進(jìn)行調(diào)整。