[發(fā)明專利]晶體管裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611020363.7 | 申請日： | 2016-11-21 |
| 公開（公告）號： | CN106935651A | 公開（公告）日： | 2017-07-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 雅利安·阿弗薩藍 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產權代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 晶體管 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體管裝置，其特征在于，包括：
一通道；
一第一源極/漏極區(qū)域，該第一源極/漏極區(qū)域位于該通道的一第一側上；
一第二源極/漏極區(qū)域，該第二源極/漏極區(qū)域位于該通道的與該通道的該第一側相對的一第二側上；以及
一穿隧阻障層，該穿隧阻障層設置在該通道與該第一源極/漏極區(qū)域之間，該穿隧阻障層適合于當該晶體管裝置處于一斷態(tài)時抑制能帶間穿隧。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
