[發明專利]用于處理多晶硅副產渣漿的裝置和工藝

有效

• 申請號: 201611019946.8
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN108069428B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 吳德智
• 申請（專利權）人: 江蘇中能硅業科技發展有限公司
• 主分類號: C01B33/107
• 分類號: C01B33/107;B01J19/14;B01J19/24;B01J4/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 肖明芳

1.一種用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，包括漿態床反應器(2)，所述的漿態床反應器(2)外壁設置有渣漿進料口和HCl原料進料口，所述漿態床反應器(2)底部通過管道連通廢料罐(9)，所述的漿態床反應器(2)頂部通過管道與帶有第一換熱器的第一儲罐(5)連通，所述漿態床反應器(2)外部設有換熱裝置(10)。

2.根據權利要求1所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，所述的漿態床反應器(2)內部靠頂端位置設有除沫器(7)；所述換熱裝置(10)為夾套或盤管。

3.根據權利要求1所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，所述的渣漿進料口為1～5個，所述的HCl原料進料口為1～5個，且保證至少有一個渣漿進料口位于其它渣漿進料口和所有HCl原料進料口的上端，同時保證至少有一個HCl原料進料口位于其它HCl進料口和所有渣漿進料口的下端。

4.根據權利要求3所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，至少有一個HCl原料進料口設置在所述漿態床反應器(2)底部。

5.根據權利要求1所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，所述的帶有第一換熱器的第一儲罐(5)，其第一換熱器頂部通過管道連接尾氣處理裝置。

6.根據權利要求5所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，所述的帶有第一換熱器的第一儲罐(5)，其第一換熱器頂部通過管道與壓縮機(8)連通再回流至HCl原料進料口。

7.根據權利要求1或5或6所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，所述的帶有第一換熱器的第一儲罐(5)前置第二換熱器(6)。

8.根據權利要求1或3所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，至少有一個渣漿進料口通過管道與閃蒸塔(1)底部連通，閃蒸塔(1)頂部通過管道與帶有第三換熱器的第二儲罐(3)連通，其第三換熱器頂部通過管道與尾氣處理裝置連通，閃蒸塔(1)上方通過管道收集氯硅烷液體，閃蒸塔(1)下方設有原料進料口。

9.根據權利要求8所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，所述的閃蒸塔(1)用閃蒸罐替換。

10.根據權利要求9所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，所述的帶有第三換熱器的第二儲罐(3)前置第四換熱器(4)。

11.根據權利要求1或3所述的用于處理多晶硅副產渣漿的裝置，其特征在于，至少有一個渣漿進料口通過管道與蒸發器或轉鼓過濾器連通。

12.利用權利要求1所述的裝置處理多晶硅副產渣漿的工藝，其特征在于，將催化劑、和多晶硅生產過程中渣漿、和/或冷氫化檢修退料硅粉通入渣漿進料口，將HCl原料同時通入HCl原料進料口，通過向換熱裝置中循環通入冷卻介質控制漿態床反應器的溫度，反應得到的氯硅烷氣體通過漿態床反應器頂部管道進入帶有第一換熱器的第一儲罐經冷凝為液態硅烷收集，不凝氣體通過管道放空處理，反應后的廢料沉積在漿態床反應器底部，定期排出至廢料罐。

13.根據權利要求12所述的用于處理多晶硅副產渣漿的工藝，其特征在于，所述的催化劑為氯化銅、氯化亞銅、氯化鋁和氯化錫中的一種或多種。

14.根據權利要求12所述的用于處理多晶硅副產渣漿的工藝，其特征在于，多晶硅生產過程中渣漿預先經過蒸發器或轉鼓過濾器處理。

15.根據權利要求12所述的用于處理多晶硅副產渣漿的工藝，其特征在于，多晶硅生產過程中渣漿預先經過閃蒸塔、或閃蒸罐處理。