[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611019931.1
• 申請(qǐng)日: 2016-11-17
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN106971947A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 余振華;葉松峯;陳明發(fā)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/58
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/58
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種用于形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：

提供第一半導(dǎo)體工件；

在所述第一半導(dǎo)體工件的第一表面上沉積第一膜；

在襯底上沉積第二膜；以及

將所述第一膜接合至所述第二膜。