[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 201611019117.X
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN106898607A
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 桑島照弘
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L27/06
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 李蘭,孫志湧

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

布線結構，所述布線結構形成在所述半導體襯底上方并且包括多個布線層；以及

第一線圈、第二線圈和第三線圈，所述第一線圈、所述第二線圈和所述第三線圈形成在所述半導體襯底上方，

其中，在位于所述第一線圈下方并且在平面圖中與所述第一線圈重疊的區域中，設置有所述第二線圈和所述第三線圈，

其中，所述第二線圈和所述第三線圈形成在相同的層中并且彼此串聯電耦合，以及

其中，所述第二線圈和所述第三線圈中的每個和所述第一線圈沒有經由導體彼此耦合，但彼此磁耦合。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一線圈由所述布線層中的一個形成。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述第一線圈在平面圖中沒有彼此交叉的部分。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，

其中，所述第一線圈由所述布線層中的最上布線層形成。

5.根據權利要求4所述的半導體器件，

其中，在平面圖中在所述第一線圈內部，設置有與所述第一線圈的一端耦合的焊盤電極。

6.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中，所述第二線圈和所述第三線圈中的每個由所述布線層中的兩個形成。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，所述第二線圈和所述第三線圈在平面圖中具有彼此交叉的各交叉部分。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中，在所述交叉部分中，所述第二線圈僅由所述兩個布線層中的一個形成并且所述第三線圈僅由所述兩個布線層中的另一個形成。

9.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中，所述第二線圈和所述第三線圈在相反的方向上纏繞。

10.根據權利要求7所述的半導體器件，

其中，所述第二線圈和所述第三線圈在平面圖中具有彼此線對稱的二維形狀。

11.根據權利要求6所述的半導體器件，

其中，在位于所述兩個布線層下方的層中的引出布線被電耦合到所述第二線圈和所述第三線圈的彼此耦合的各部分。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，

其中，固定電勢被從所述引出布線供應到所述耦合的部分。

13.根據權利要求11所述的半導體器件，

其中，所述第二線圈和所述第三線圈分別由所述布線層中的最下布線層和所述布線層中的位于所述最下布線層直接上方的布線層形成。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，還包括：

MISFET，所述MISFET形成在所述半導體襯底上方，

其中，所述引出布線由與所述MISFET的柵電極的層相同的層中的導電圖案制成。

15.根據權利要求11所述的半導體器件，

其中，所述耦合的部分經由通孔部分電耦合到所述引出布線。

16.根據權利要求15所述的半導體器件，

其中，在平面圖中，所述通孔部分設置在延伸通過包括彼此串聯耦合的所述第二線圈和所述第三線圈的線圈圖案的中心的中線上。

17.根據權利要求15所述的半導體器件，

其中，在平面圖中，所述通孔部分設置在從延伸通過包括彼此串聯耦合的所述第二線圈和所述第三線圈的線圈圖案的中心的中線移位的位置。

18.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中，所述第一線圈是初級線圈并且所述第二線圈和所述第三線圈中的每個是次級線圈。