[發明專利]基于碳納米管生長技術的氣體傳感器的制造方法有效
| 申請號： | 201611018959.3 | 申請日： | 2016-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN106770539B | 公開（公告）日： | 2019-04-23 |
| 發明（設計）人： | 梅玉海;關榮鋒;邵榮 | 申請（專利權）人： | 鹽城工學院;無錫芯望傳感科技有限公司 |
| 主分類號： | G01N27/30 | 分類號： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 224000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 微電極陣列 氣體傳感器 陰陽電極 焊接區 絕緣層 碳納米管 碳納米管生長 垂直排列 絕緣基體 化學蒸汽沉積 摻雜多晶硅 生長碳納米 導電連接 金屬噴射 顯微光刻 陰極真空 外露 傳感器 噴鍍 制造 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于碳納米管生長技術的氣體傳感器的制造方法，其特征在于：包括以下步驟：
(1)準備一絕緣基體，在絕緣基體上沉積絕緣層；
(2)在絕緣層上沉積摻雜多晶硅，顯微光刻所述摻雜多晶硅，形成陰、陽微電極陣列和陰、陽電極焊接區，陰、陽微電極陣列分別與陰、陽電極焊接區導電連接；
(3)再在摻雜多晶硅上沉積絕緣層，顯微光刻絕緣層，使陰、陽微電極陣列和陰、陽電極焊接區完全外露；
(4)將用于生長碳納米管的金屬噴射到外露的陰、陽微電極陣列上；
(5)利用化學蒸汽沉積技術在陰、陽微電極陣列上生長垂直排列的碳納米管，同時利用微納加工技術控制陰、陽微電極陣列上的碳納米管的間距和形狀。
2.根據權利要求1所述的基于碳納米管生長技術的氣體傳感器的制造方法，其特征在于：所述步驟(4)中是利用陰極真空噴鍍技術將用于生長碳納米管的金屬噴射到外露的陰、陽微電極陣列上。
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