[發(fā)明專利]中介物、其半導體封裝及其半導體封裝的制備方法

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• 申請日: 2016-11-09
• 公開（公告）號: CN107546215A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發(fā)明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L25/065;H01L23/31;H01L21/98
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 馮志云,王芝艷

1.一種半導體封裝的中介物，包括：

一基板部，具有一第一側、一第二側、以及位于該第一側與該第二側之間的一電互連結構，其中該基板部實質上無導電貫穿插塞；以及

一壁部，位于該第一側并且定義一開口，其中該開口局部暴露該電互連結構。

2.如權利要求1所述的半導體封裝的中介物，其中該電互連結構包括：

至少一第一導電終端，位于該第一側；

至少一第二導電終端，位于該第二側；以及

至少一導線，電連接該至少一第一導電終端與該至少一第二導電終端。

3.如權利要求1所述的半導體封裝的中介物，其中該基板部與該壁部由不同材料形成。

4.如權利要求1所述的半導體封裝的中介物，其中該壁部包括：

一中間層，位于該基板部上；以及

一強化件，位于該中間層上。

5.如權利要求1所述的半導體封裝的中介物，其中該壁部具有一第三側，位于該基板部的該第一側上方，以及該壁部具有至少一導電貫穿插塞，貫穿該壁部。

6.如權利要求5所述的半導體封裝的中介物，還包括至少一第三導電終端，位于該第三側，其中該至少一導電貫穿插塞電連接該至少一第三導電終端至該電互連結構。

7.如權利要求6所述的半導體封裝的中介物，包括多個第三導電終端，其中該壁部的頂部的介電材料分隔所述多個第三導電終端。

8.一種半導體封裝，包括：

一中介物，包括：

一基板部，具有一第一側、一第二側、以及位于該第一側與該第二側之間的一電互連結構，其中該基板部實質上無導電貫穿插塞；以及

一壁部，位于該第一側并且定義一開口，其中該開口局部暴露該電互連結構；以及

至少一第一半導體晶粒，接合至該中介物并且位于該開口中。

9.如權利要求8所述的半導體封裝，其中該電互連結構包括：

至少一第一導電終端，位于該第一側，其中該至少一第一半導體晶粒電連接至該至少一第一導電終端；

至少一第二導電終端，位于該第二側；以及

至少一導線，電連接該至少一第一導電終端與該至少一第二導電終端。

10.如權利要求8所述的半導體封裝，其中該基板部與該壁部由不同材料形成。

11.如權利要求8所述的半導體封裝，其中該壁部包括：

一中間層，位于該基板部上；以及

一強化件，位于該中間層上。

12.如權利要求8所述的半導體封裝，其中該壁部具有一第三側，位于該基板部的該第一側上方，以及該壁部具有至少一導電貫穿插塞，貫穿該壁部。

13.如權利要求12所述的半導體封裝，還包括至少一第三導電終端，位于該第三側，其中該至少一導電貫穿插塞電連接該至少一第三導電終端至該電互連結構。

14.如權利要求13所述的半導體封裝，包括多個第三導電終端，其中該壁部的頂部的介電材料分隔所述多個第三導電終端。

15.如權利要求13所述的半導體封裝，還包括至少一第二半導體晶粒，接合至該至少一第三導電終端，以及該至少一第二半導體晶粒位于該至少一第一半導體晶粒上方。

16.如權利要求8所述的半導體封裝，還包括一物件，接合至該中介物的該第二側。

17.一種半導體封裝的制備方法，包括以下步驟：

提供一中介物，包括：

一基板部，具有一第一側、一第二側、以及位于該第一側與該第二側之間的一電互連結構，其中該基板部實質上無導電貫穿插塞；以及

一壁部，位于該第一側并且定義一開口，其中該開口局部暴露該第一側；以及

接合至少一第一半導體晶粒至該中介物并且位于該開口中。

18.如權利要求17所述的半導體封裝的制備方法，其中提供一中介物包括：

形成該電互連結構于該基板部的一前側；以及

自該基板部的該前側的一對側進行一蝕刻工藝，以形成定義該開口的該壁部。