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[發(fā)明專利]一種基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料及其制備方法有效

專利信息
申請?zhí)枺?/td> 201611016064.6 申請日: 2016-11-18
公開(公告)號: CN106784295B 公開(公告)日: 2019-04-09
發(fā)明(設計)人: 何青松;于敏;劉志剛;姬科舉;戴振東 申請(專利權(quán))人: 南京航空航天大學
主分類號: H01L41/18 分類號: H01L41/18;H01L41/37
代理公司: 江蘇圣典律師事務所 32237 代理人: 賀翔;楊文晰
地址: 210016 江*** 國省代碼: 江蘇;32
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摘要:
搜索關(guān)鍵詞: 一種 基于 泡沫 金屬 多孔 ipmc 電致動 材料 及其 制備 方法
【說明書】:

發(fā)明公開一種基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料及其制備方法,該IPMC基體膜內(nèi)包含連續(xù)可控的孔道結(jié)構(gòu),采用泡沫金屬嵌入Nafion基體膜澆鑄成型而后去除的方法獲得,孔道尺寸由泡沫金屬的尺寸決定;相較于傳統(tǒng)澆鑄Nafion膜中水分子遷移的孔道為1?2 nm而不適合尺寸相對較大的離子液體遷移,本發(fā)明中基于泡沫金屬的多孔道Nafion膜的孔道尺寸大于離子液體的尺寸,有利于外加電場作用下離子液體的遷移,從而大大提高IPMC的驅(qū)動穩(wěn)定性,在空氣中持續(xù)作動5 h位移仍不降低。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料及其制備方法,屬于智能材料領(lǐng)域。

背景技術(shù)

IPMC(Ionic Polymer Metal Composite)是一種離子型的EAP材料,它是在離子交換聚合物薄膜的基材表面沉積鉑(Pt)、金(Au)等貴金屬而獲得的有機-無機復合材料,在低電壓下由于水合陽離子的遷移會產(chǎn)生較大的變形。IPMC具有質(zhì)量輕、驅(qū)動電壓低、位移大、無噪音、柔性、驅(qū)動能量密度較高等優(yōu)點,其形變能力是電學陶瓷的100倍以上,在質(zhì)量、響應和彈性上亦大大超過形狀記憶合金,在微器件驅(qū)動(如體內(nèi)檢測機器人、光機電系統(tǒng)、微型機器人等)方面有著巨大的應用潛力,成為近年來國內(nèi)外研究的熱點。但是水分子的蒸發(fā)和電解(電壓高于1.23 V)大大限制了IPMC的實際應用范圍。由于離子液體具有低蒸氣壓力、較寬的電化學窗口、高的電導率和低粘度,許多研究人員采用離子液體作為IPMC的工作介質(zhì),以獲得具有穩(wěn)定性能的IPMC。但是離子液體的直徑約為1.5 nm(Chmiola J, YushinG, Gogotsi Y, Portet C, Simon P and Taberna P L 2006 Anomalous increase incarbon capacitance at pore sizes less than 1 nanometer Science 313 1760–3;Simon P and Gogotsi Y 2008 Materials for electrochemical capacitors Nat.Mater. 7 845–54.),3倍于水分子的直徑(0.4 nm),而IPMC基體Nafion膜中適合水分子的遷移孔道為1~2 nm,因此該尺寸的孔道大大阻礙了離子液體的遷移。有必要設計制備適合離子液體順暢遷移的孔道,以獲得具有穩(wěn)定輸出性能、高輸出力的IPMC。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服上述純Nafion膜中尺寸孔道阻礙離子液體遷移的問題,本發(fā)明提供一種基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料及其制備方法,其具體技術(shù)方案如下:

一種基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料,該材料內(nèi)包含連續(xù)可控的孔道結(jié)構(gòu),采用泡沫金屬嵌入Nafion基體膜作為骨架澆鑄成型而后去除的方法獲得,孔隙率75-98%,孔徑的尺寸為10-100 μm,外覆5-15 μm厚的貴金屬電極。

進一步,本發(fā)明所述基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料中孔徑為20 μm,外覆10 μm厚的貴金屬電極。

進一步,本發(fā)明所述基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料的厚度為0.1-0.5mm,其采用粘度較小的咪唑類離子液體1-乙基-3-甲基咪唑硫氰酸鹽EMImSCN等離子液體作為工作介質(zhì)。

進一步,本發(fā)明所述基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料中,外覆貴金屬電極是指鉑電極、鈀電極或金電極。

一種如本發(fā)明所述基于泡沫金屬的多孔道IPMC電致動材料的制備方法,具體步驟如下:

1)泡沫金屬嵌入Nafion膜

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