[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 201611015952.6
• 申請日: 2016-11-09
• 公開（公告）號: CN107863331A
• 公開（公告）日: 2018-03-30
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/482
• 分類號: H01L23/482;H01L21/48
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 馮志云,王芝艷

技術領域

本公開涉及一種包括傳導層的半導體結構及其制造方法，該傳導層位于一基板上方且位于一凹部內，該凹部凹陷至該基板中。

背景技術

半導體裝置對于許多現代應用而言是重要的。隨著電子技術的進展，半導體裝置的尺寸越來越小，而功能越來越大且整合的電路量越來越多。由于半導體裝置的規模微小化，晶圓級晶片規模封裝(wafer level chip scale packaging，WLCSP)廣泛用于制造。在此等小半導體裝置內，實施許多制造步驟。

然而，微型化規模的半導體裝置的制造變得越來越復雜。制造半導體裝置的復雜度增加可造成缺陷，例如電互連不良、發生破裂、或元件脫層(delamination)。因此，修飾結構與制造半導體裝置面臨許多挑戰。

上文的「現有技術」說明僅是提供背景技術，并未承認上文的「現有技術」說明公開本公開的標的，不構成本公開的現有技術，且上文的「現有技術」的任何說明均不應作為本案的任一部分。

發明內容

本公開的實施例提供一種半導體結構，包括一基板，該基板包含一第一表面、與該第一表面對立的一第二表面、以及自該第一表面朝向該第二表面凹陷的一凹部；一傳導層，位于該第一表面上方且位于該凹部內；以及一保護層，位于該第一表面上方且局部覆蓋該傳導層，其中位于該凹部內的該傳導層自該保護層暴露。

在本公開的實施例中，該傳導層經配置與該凹部的一側壁共形。

在本公開的實施例中，自該保護層暴露的該傳導層經配置以接收一互連結構，以及該互連結構為一傳導凸塊、一傳導線、或一傳導柱。

在本公開的實施例中，該互連結構的至少一部分受到該傳導層與該基板環繞。

在本公開的實施例中，該半導體結構另包含一傳導結構，該傳導結構位于該基板內且電連接至該傳導層。

在本公開的實施例中，該傳導結構為一金屬件或一晶體管。

在本公開的實施例中，該半導體結構另包含一凸塊下金屬(UBM)層于該凹部內，其中該UBM層經配置以接收一互連結構。

在本公開的實施例中，該基板包含硅、氧化硅、玻璃、陶瓷、或有機材料。

本公開的實施例另提供一種半導體結構，包括一基板，該基板包含一第一表面、與該第一表面對立的一第二表面、以及自該第一表面朝向該第二表面凹陷的一凹部；一傳導層，位于該第一表面上方；一保護層，位于該第一表面上方且至少局部覆蓋該傳導層；一互連結構，位于該凹部內且電連接至該傳導層。

在本公開的實施例中，該互連結構的至少一部分受到該基板環繞。

在本公開的實施例中，該半導體結構另包含一凸塊下金屬(UBM)層于自該保護層暴露的凹部內。

在本公開的實施例中，該UBM層受到該傳導層與該基板的環繞。

在本公開的實施例中，該互連結構經由該傳導層而電連接至位于該基板內的一傳導結構。

本公開的實施例另提供一種半導體結構的制造方法，包含提供一基板；形成一凹部于該基板上方；配置一傳導層于該基板上方；配置一保護層于該基板上方以至少局部覆蓋該傳導層。

在本公開的實施例中，該傳導層位于該凹部內或與該凹部的一側壁共形。

在本公開的實施例中，配置該傳導層包含進行電鍍或濺鍍工藝。

在本公開的實施例中，形成該凹部包含配置一圖案化掩模于該基板上方且移除該基板的一部分而。

在本公開的實施例中，形成該凹部包含配置圖案化掩模于該保護層上，并且移除該保護層的一部、該傳導層的一部分、以及該基板的一部分。

在本公開的實施例中，形成該凹部包含進行光微影與蝕刻工藝。

在本公開的實施例中，該制造方法另包含配置一凸塊下金屬(UBM)層于自該保護層暴露的該凹部內；或配置一互連結構于該傳導層上方以電連接該互連結構與該傳導層；或回焊該互連結構；或附接該半導體結構于一第二基板上方；或打線接合該傳導層與一第二基板。

上文已相當廣泛地概述本公開的技術特征及優點，俾使下文的本公開詳細描述得以獲得較佳了解。構成本公開的權利要求標的的其它技術特征及優點將描述于下文。本領域技術人員應了解，可相當容易地利用下文公開的概念與特定實施例可作為修改或設計其它結構或工藝而實現與本公開相同的目的。本領域技術人員亦應了解，這類等效建構無法脫離后附的權利要求所界定的本公開的精神和范圍。

附圖說明

參閱詳細說明與權利要求結合考慮附圖時，可得以更全面了解本申請案的公開內容，附圖中相同的元件符號是指相同的元件。