[發明專利]半導體結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201611015951.1
• 申請日: 2016-11-02
• 公開（公告）號: CN107591386B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 林柏均
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/00;H01L21/48
• 代理公司: 72003 隆天知識產權代理有限公司
• 代理人: 馮志云;王芝艷<國際申請>=<國際公布>

1.一種半導體結構，包括：

一基板；

一接墊，設置于該基板上方；

一保護層，設置于該基板上方并且暴露該接墊的一暴露部分；以及

一凸塊，設置于該接墊的該暴露部分上方；

其中該凸塊包含一緩沖件及一導電層，該緩沖件設置于該接墊的該暴露部分上方，該緩沖件的一部分設置于該接墊內或是延伸至該接墊中，該導電層環繞該緩沖件且電連接至該接墊。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中該導電層與該接墊的該暴露部分交界。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該緩沖件是絕緣的、彈性的、或可變形的。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該緩沖件包含彈性體或聚合物，或該導電層包含銅或焊料。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中該凸塊是彈性的或可變形的。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中該凸塊電連接至該接墊。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其中該導電層的一部分設置于該緩沖件內或是受到該緩沖件環繞。

8.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一互連結構，設置于該導電層與該接墊之間，并且經設置以將該導電層電連接該接墊。

9.如權利要求8所述的半導體結構，其中該互連結構是凸塊下金屬化層(UBM)，局部設置于該保護層上方或是局部受到該保護層環繞。

10.如權利要求8所述的半導體結構，其中該互連結構設置于該緩沖件內或是受到該緩沖件環繞。

11.如權利要求8所述的半導體結構，其中該互連結構與該緩沖件共形。

12.如權利要求8所述的半導體結構，其中該互連結構的一部分設置于該導電層與該緩沖件之間。

13.如權利要求8所述的半導體結構，其中該互連結構的一部分設置于該接墊內或是受到該接墊環繞。

14.如權利要求1所述的半導體結構，還包括一粘著層，設置于該緩沖件與該接墊的該暴露部分之間。

15.如權利要求14所述的半導體結構，其中該粘著層設置于該緩沖件與該導電層之間，或該緩沖件由該粘著層囊封。

16.如權利要求14所述的半導體結構，其中該粘著層設置于該接墊內或受到該接墊環繞。

17.一種半導體結構的制造方法，包括：

提供一基板；

設置一接墊于該基板上方；

設置一保護層于該基板與該接墊上方；

局部移除該接墊上方的該保護層；

設置一緩沖件于該接墊的一部分上方，該緩沖件的一部分設置于該接墊內或是延伸至該接墊中；以及

設置一導電層于該緩沖件上方或附近；

其中該緩沖件受到該導電層環繞，以及該導電層電連接至該接墊。

18.如權利要求17所述的制造方法，還包括在局部移除該保護層時或之后，局部移除該接墊。

19.如權利要求17所述的制造方法，其中通過網印工藝設置該緩沖件。