[發明專利]鰭狀場效晶體管器件

在審

• 申請號: 201611014865.9
• 申請日: 2016-11-18
• 公開（公告）號: CN106887462A
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發明（設計）人: 張哲誠;林志翰;曾鴻輝
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 馬雯雯,臧建明

技術領域

本發明實施例涉及鰭狀場效晶體管器件。

背景技術

由于半導體器件的柵極寬度與溝道長度持續縮減，非平面或三維的場效晶體管結構(field effect transistor structure)，例如具有向上延伸的垂直鰭板的鰭狀場效晶體管(fin-type field effect transistor，FinFET)，已被發展用以提高晶體管的操作速度。

發明內容

一種鰭狀場效晶體管器件包括襯底、至少一柵極堆疊結構、多個間隔物、源極與漏極區域、介電層、至少一鞘結構以及至少一金屬連接結構。至少一柵極堆疊結構配置在襯底上。多個間隔物配置在至少一柵極堆疊結構的側壁上。源極與漏極區域配置于襯底內，且分設在至少一柵極堆疊結構的相對側。介電層配置在襯底的上方以及至少一柵極堆疊結構上，其中介電層包括暴露出源極與漏極區域的至少一接觸開口。至少一鞘結構配置于至少一接觸開口內。至少一金屬連接結構配置于至少一鞘結構以及至少一接觸開口內，其中至少一金屬連接結構連接至源極與漏極區域。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合附圖以了解本發明實施例。應注意的是，根據本產業的一般作業，各種特征并未按照比例繪制。事實上，為了清楚說明，可能任意的放大或縮小器件的尺寸。

圖1為依據一些本發明實施例的鰭狀場效晶體管器件的剖面示意圖。

圖2A到圖2G為依據一些本發明實施例的鰭狀場效晶體管器件的制造方法的各種階段所形成的鰭狀場效晶體管器件的剖面示意圖。

圖3為依據一些本發明實施例的鰭狀場效晶體管器件的制造方法的處理步驟的示例性流程圖。

附圖標號說明：

10：鰭狀場效晶體管器件；

102：襯底；

104：溝道區；

110：柵極堆疊結構；

110a：柵極堆疊結構的頂表面；

112：側壁；

114：柵極介電條；

116：柵極電極條；

118：硬掩模條；

120：間隔物；

125：源極與漏極區域；

130：介電層；

130a：介電層的頂表面；

131：經圖案化的介電層；

131a：經圖案化的介電層的頂表面；

132：接觸開口；

132b：接觸開口的側壁；

134：黏著層；

135：鞘結構；

140：金屬連接結構；

140a：金屬連接結構的頂表面；

142：頂蓋層；

150：掩模圖案；

152：孔洞；

D：頂部尺寸；

P：間距；

S300、S302、S304、S306、S308、S310：步驟。

具體實施方式

以下公開內容提供了許多用于實現所提供主題的不同特征的不同實施例或實例。下面描述了組件和布置的具體實例以簡化本發明實施例。當然，這些僅僅是實例，而不旨在限制本發明實施例。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成為直接接觸的實施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之間可以形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件可以不直接接觸的實施例。此外，本發明實施例可在各個實例中重復參考標號和/或字母。此重復是為了簡單和清楚的目的，并且其本身不指示所討論的各個實施例和/或配置之間的關系。

而且，為便于描述，在此可以使用諸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空間相對術語，以便于描述如圖所示的一個元件或部件與另一個(或另一些)元件或部件的關系。除了圖中所示的方位外，空間相對術語旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉90度或在其他方位上)，而在此使用的空間相對描述符可以同樣地作相應的解釋。