[發(fā)明專利]存儲器結(jié)構(gòu)及其形成方法、存儲器電路及其工作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611011878.0 | 申請日: | 2016-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN108074930B | 公開(公告)日: | 2020-11-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王楠 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/11 | 分類號: | H01L27/11;H01L21/8244 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣;吳敏 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 存儲器 結(jié)構(gòu) 及其 形成 方法 電路 工作 | ||
1.一種存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,包括:
襯底,所述襯底包括:第一下拉區(qū)、第二下拉區(qū)、第一傳輸區(qū)和第二傳輸區(qū),以及第一分流區(qū)或第二分流區(qū);
位于襯底第一下拉區(qū)的第一下拉晶體管,所述第一下拉晶體管具有第一溝道寬度,所述第一下拉晶體管包括:位于所述襯底上的第一下拉柵極結(jié)構(gòu),分別位于所述第一下拉柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底中的第一下拉源區(qū)和第一下拉漏區(qū),所述第一下拉源區(qū)用于施加第一電位;
位于襯底第二下拉區(qū)的第二下拉晶體管,所述第二下拉晶體管具有第三溝道寬度,所述第二下拉晶體管包括:位于所述襯底上的第二下拉柵極結(jié)構(gòu),分別位于所述第二下拉柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底中的第二下拉源區(qū)和第二下拉漏區(qū),所述第二下拉柵極結(jié)構(gòu)與所述第一下拉漏區(qū)電連接,所述第二下拉漏區(qū)與所述第一下拉柵極結(jié)構(gòu)電連接,所述第二下拉源區(qū)用于施加所述第一電位;
位于第一傳輸區(qū)襯底上的第一傳輸晶體管,所述第一傳輸晶體管具有第二溝道寬度,所述第一傳輸晶體管包括:位于所述襯底上的第一傳輸柵極結(jié)構(gòu),位于所述第一傳輸柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底中的第一傳輸源區(qū)和第一傳輸漏區(qū),所述第一傳輸源區(qū)與所述第一下拉漏區(qū)電連接;
位于第二傳輸區(qū)襯底上的第二傳輸晶體管,所述第二傳輸晶體管具有第四溝道寬度,所述第二傳輸晶體管包括:位于所述襯底上的第二傳輸柵極結(jié)構(gòu);位于所述第二傳輸柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)襯底中的第二傳輸源區(qū)和第二傳輸漏區(qū),所述第二傳輸源區(qū)與所述第二下拉漏區(qū)電連接;
所述第四溝道寬度小于所述第三溝道寬度;
或者所述第二溝道寬度小于所述第一溝道寬度;
或者所述第二溝道寬度小于所述第一溝道寬度,且所述第四溝道寬度小于所述第三溝道寬度;
連接所述第一傳輸柵極結(jié)構(gòu)和所述第二傳輸柵極結(jié)構(gòu)的字線;
連接所述第一傳輸漏區(qū)的第一位線;
連接所述第二傳輸漏區(qū)的第二位線;
位于襯底第一分流區(qū)上的第一分流結(jié)構(gòu),所述第一分流結(jié)構(gòu)包括第一連接部和第二連接部,所述第一連接部用于施加所述第一電位;所述第二連接部與所述第一位線電連接,或者所述存儲器還包括第三位線,所述第二連接部連接所述第三位線;
位于襯底第二分流區(qū)上的第二分流結(jié)構(gòu),所述第二分流結(jié)構(gòu)包括第三連接部和第四連接部,所述第三連接部用于施加所述第一電位;所述第四連接部與所述第二位線電連接,或者所述存儲器還包括第四位線,所述第四連接部連接所述第四位線。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一傳輸區(qū)襯底上具有第一傳輸鰭部,所述第一傳輸柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第一傳輸鰭部,所述第一傳輸源區(qū)和第一傳輸漏區(qū)分別位于所述第一傳輸柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一傳輸鰭部中;
所述第二傳輸區(qū)襯底具有第二傳輸鰭部,所述第二傳輸柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第二傳輸鰭部,所述第二傳輸源區(qū)和第二傳輸漏區(qū)分別位于所述第二傳輸柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二傳輸鰭部中;
所述第一下拉區(qū)襯底包括第一下拉鰭部,所述第一下拉柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第一下拉鰭部,且位于所述第一下拉鰭部部分側(cè)壁和頂部表面,所述第一下拉源區(qū)和所述第一下拉漏區(qū)分別位于所述第一下拉柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一下拉鰭部中;
所述第二下拉區(qū)襯底包括第二下拉鰭部,所述第二下拉柵極結(jié)構(gòu)橫跨所述第二下拉鰭部,且位于所述第二下拉鰭部部分側(cè)壁和頂部表面,所述第二下拉源區(qū)和所述第二下拉漏區(qū)分別位于所述第二下拉柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二下拉鰭部中。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
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