[發(fā)明專利]一種主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱裝置及傳熱方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611010149.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106855374A | 公開(公告)日: | 2017-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 唐彪;蔣洪偉;白鵬飛;楊庭洪;李壽明;周國(guó)富 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華南師范大學(xué);深圳市國(guó)華光電科技有限公司;深圳市國(guó)華光電研究院 |
| 主分類號(hào): | F28F13/00 | 分類號(hào): | F28F13/00 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司44205 | 代理人: | 唐致明 |
| 地址: | 510631 廣東省廣州市大學(xué)城*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 主動(dòng) 強(qiáng)化 傳熱 裝置 方法 | ||
1.一種主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱裝置,其特征在于,包括電源組件、罩體和導(dǎo)電的傳熱壁面,所述傳熱壁面用于與發(fā)熱元件接觸,所述罩體與所述傳熱壁面固定連接,且兩者形成一容置腔體,所述傳熱壁面朝向所述容置腔體的表面上覆有一層疏水絕緣層,所述容置腔體內(nèi)填充有傳熱工質(zhì),所述電源組件的兩極分別與所述傳熱壁面和所述傳熱工質(zhì)電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱裝置,其特征在于,所述傳熱工質(zhì)為極性液體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱裝置,其特征在于,所述傳熱工質(zhì)為水溶液或離子液體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱裝置,其特征在于,所述疏水絕緣層為單層的疏水絕緣層結(jié)構(gòu)或絕緣層與疏水層復(fù)合層結(jié)構(gòu),當(dāng)所述疏水絕緣層為絕緣層與疏水層復(fù)合層結(jié)構(gòu)時(shí),所述疏水層覆于所述絕緣層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱裝置,其特征在于,所述疏水絕緣層的厚度為400-800 nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱裝置,其特征在于,所述容置腔體為上部開口的容置腔體或密閉的容置腔體。
7.一種主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:在導(dǎo)電的傳熱壁面和傳熱工質(zhì)之間設(shè)置一層疏水絕緣層,所述疏水絕緣層將所述傳熱壁面和所述傳熱工質(zhì)隔離開來(lái);
S2:將所述傳熱壁面與發(fā)熱元件接觸;
S3:在所述傳熱壁面和所述傳熱工質(zhì)之間施加電壓,動(dòng)態(tài)調(diào)整電壓。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱方法,其特征在于,所述電壓≤100V。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱方法,其特征在于,所述傳熱工質(zhì)為極性液體。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的主動(dòng)式強(qiáng)化傳熱方法,其特征在于,所述疏水絕緣層為單層的疏水絕緣層結(jié)構(gòu)或絕緣層與疏水層復(fù)合層結(jié)構(gòu),當(dāng)所述疏水絕緣層為絕緣層與疏水層復(fù)合層結(jié)構(gòu)時(shí),所述疏水層覆于所述絕緣層上。
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