[發(fā)明專利]銀納米線的群、其制造方法、包括其的電導(dǎo)體和電子裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611010091.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107039098B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-06-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金美靜;郭燦;金正華;高東秀;金光熙;金地玴 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01B1/02 | 分類號(hào): | H01B1/02;H01B5/14;H01B13/00;G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 金擬粲 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 制造 方法 包括 導(dǎo)體 電子 裝置 | ||
1.電導(dǎo)體,包括
基底;和
設(shè)置在所述基底上并且包括多個(gè)銀納米線的導(dǎo)電層,
其中所述銀納米線在其X射線衍射光譜中呈現(xiàn)歸屬于(111)晶面的主峰,且
在高斯擬合之后的所述主峰的2θ半寬度小于0.35度。
2.如權(quán)利要求1所述的電導(dǎo)體,其中所述基底具有至少10MPa的撓曲模量。
3.如權(quán)利要求2所述的電導(dǎo)體,其中所述基底包括聚(甲基)丙烯酸酯、聚烯烴、聚氯乙烯、含氟聚合物、聚酰胺、聚酰亞胺、聚砜、聚醚醚酮、聚降冰片烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚二甲基硅氧烷、其共聚物、或其組合。
4.如權(quán)利要求1所述的電導(dǎo)體,其中所述多個(gè)銀納米線具有小于或等于100納米的平均直徑和大于或等于100的長(zhǎng)徑比。
5.如權(quán)利要求1所述的電導(dǎo)體,其中所述主峰的2θ半寬度小于或等于0.32度。
6.如權(quán)利要求1所述的電導(dǎo)體,其中所述主峰在35度-42度的衍射角2θ處。
7.如權(quán)利要求1所述的電導(dǎo)體,其中所述電導(dǎo)體具有小于或等于100歐姆/平方的薄層電阻、小于或等于1.0%的霧度和大于或等于80%的可見(jiàn)光透射率。
8.如權(quán)利要求1所述的電導(dǎo)體,其中當(dāng)以外彎曲模式使用10厘米的電極之間的距離在20-25℃的溫度和45-55%的相對(duì)濕度下在6.7%的應(yīng)變下測(cè)量時(shí),所述電導(dǎo)體在以1毫米的曲率半徑彎曲200,000次后具有小于或等于80%的電阻變化率。
9.如權(quán)利要求8所述的電導(dǎo)體,其中所述電導(dǎo)體在以1毫米的曲率半徑彎曲200,000次后具有小于或等于64%的電阻變化率。
10.如權(quán)利要求1所述的電導(dǎo)體,其中所述電導(dǎo)體進(jìn)一步包括直接在所述導(dǎo)電層上的罩面層,所述罩面層包括熱固性樹(shù)脂、紫外光固化的樹(shù)脂、或其組合。
11.電子裝置,包括如權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的電導(dǎo)體。
12.如權(quán)利要求11所述的電子裝置,其中所述電子裝置包括顯示器、觸摸屏面板、太陽(yáng)能電池、電子視窗、電致變色鏡、透明加熱器、熱鏡、透明晶體管、透明應(yīng)變傳感器、柔性線電極、柔性電池電極、或其組合。
13.如權(quán)利要求11所述的電子裝置,其中所述電子裝置包括柔性顯示器或柔性太陽(yáng)能電池。
14.銀納米線的群,所述銀納米線的群在其X射線衍射光譜中呈現(xiàn)歸屬于(111)晶面的主峰并且具有小于0.35度的在高斯擬合之后的所述主峰的2θ半寬度。
15.如權(quán)利要求14所述的銀納米線的群,其中所述銀納米線的群之中的銀納米線的至少一個(gè)具有通過(guò)對(duì)所述納米線的截面的透射電子顯微鏡觀察所測(cè)定的(111)晶面;且
所述(111)晶面具有由五個(gè)三角形表面限定的五邊形截面且包括孿晶間界。
16.如權(quán)利要求14所述的銀納米線的群,其中所述銀納米線的群中的多個(gè)銀納米線的平均直徑小于或等于100納米,且所述多個(gè)銀納米線的長(zhǎng)徑比大于或等于100。
17.如權(quán)利要求14所述的銀納米線的群,其中所述銀納米線的群中的多個(gè)銀納米線的平均長(zhǎng)度大于或等于2.5微米。
18.如權(quán)利要求14所述的銀納米線的群,其中在高斯擬合之后所述主峰具有小于或等于0.32度的2θ半寬度。
19.如權(quán)利要求14所述的銀納米線的群,其中所述主峰在35度-42度的衍射角2θ處。
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