[發明專利]用于解決淺溝槽隔離刻蝕中的球型缺陷的方法和系統

有效

• 申請號: 201611009447.0
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號: CN108074836B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 曹喜;黃晶;何慧斌
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;卜璐璐

1.一種用于解決淺溝槽隔離刻蝕中的球型缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

收集機臺運行時反饋的與球型缺陷成因相關的參數；

對所述參數進行分析以確定球型缺陷高發參數區域；以及

控制所述參數以避開所述球型缺陷高發參數區域；

其中，所述參數包括第一參數和第二參數，所述第一參數為靜電卡盤的漏電流，所述第二參數為晶圓凹口對應在所述靜電卡盤上的位置；

所述對所述參數進行分析以確定球型缺陷高發參數區域的步驟進一步包括：

將針對當前晶圓收集的所述第一參數和所述第二參數進行擬合分析，以確定所述第一參數大于預定閾值時所對應的所述第二參數的數值區域，以作為所述球型缺陷高發參數區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制所述參數以避開所述球型缺陷高發參數區域的步驟進一步包括：

記錄所述球型缺陷高發參數區域中的數值作為危險數值，并在后續晶圓的所述第二參數的數值到達所述危險數值之前修改所述后續晶圓的所述第二參數的數值，以避免所述后續晶圓上產生球型缺陷。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：當確定所述第一參數大于預定閾值時，將所述第二參數加上預設值以修改所述第二參數的數值，以避免下一片晶圓上產生球型缺陷。

4.一種用于解決淺溝槽隔離刻蝕中的球型缺陷的系統，其特征在于，所述系統包括：

收集模塊，用于收集機臺運行時反饋的與球型缺陷成因相關的參數；

分析模塊，用于對所述參數進行分析以確定球型缺陷高發參數區域；以及

控制模塊，用于控制所述參數以避開所述球型缺陷高發參數區域；

其中，所述參數包括第一參數和第二參數，所述第一參數為靜電卡盤的漏電流，所述第二參數為晶圓凹口對應在所述靜電卡盤上的位置；

所述分析模塊進一步用于：

將針對當前晶圓收集的所述第一參數和所述第二參數進行擬合分析，以確定所述第一參數大于預定閾值時所對應的所述第二參數的數值區域，以作為所述球型缺陷高發參數區域。

5.根據權利要求4所述的系統，其特征在于，所述控制模塊進一步用于：

記錄所述球型缺陷高發參數區域中的數值作為危險數值，并在后續晶圓的所述第二參數的數值到達所述危險數值之前修改所述后續晶圓的所述第二參數的數值，以避免所述后續晶圓上產生球型缺陷。

6.根據權利要求4所述的系統，其特征在于，

所述分析模塊還用于確定所述第一參數是否大于預定閾值；并且

所述控制模塊還用于在當所述第一參數大于預定閾值時，將所述第二參數加上預設值以修改所述第二參數的數值，以避免下一片晶圓上產生球型缺陷。