[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201611008943.4
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號: CN107026175B
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 三原龍善
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11521;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;閆劍平

1.一種半導體器件，其特征在于，

具有：

半導體襯底；

突出部，其是所述半導體襯底的一部分，從所述半導體襯底的主面突出且在俯視時沿第一方向延伸；

第一柵電極，其形成在所述突出部上，且在俯視時沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸；

第一柵極絕緣膜，其形成在所述第一柵電極與所述突出部之間；

第二柵電極，其形成在所述突出部上，在俯視時沿所述第二方向延伸，且與所述第一柵電極相鄰；以及

第二柵極絕緣膜，其形成在所述第二柵電極與所述突出部之間、以及所述第二柵電極與所述第一柵電極之間，且在內部具有電荷蓄積部，

所述突出部包括：

第一區域；以及

第二區域，其在俯視時相對于所述第一區域配置于所述第一方向的第一側，

所述第一柵電極將所述第一區域的第一上表面、所述第一區域的所述第二方向的第二側的第一側面、以及所述第一區域的所述第二方向的與所述第二側相反側的第二側面覆蓋，

所述第二柵電極將所述第二區域的第二上表面、所述第二區域的所述第二側的第三側面、以及所述第二區域的與所述第二側相反側的第四側面覆蓋，

所述第二上表面比所述第一上表面低，

所述第三側面在所述第二方向上相對于所述第一側面配置于所述第二側的相反側。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

與所述主面垂直的第三方向上的所述第二上表面與所述第一上表面之間的距離比所述第二方向上的所述第三側面與所述第一側面之間的距離長。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第四側面在所述第二方向上相對于所述第二側面配置于所述第二側。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

與所述主面垂直的第三方向上的所述第二上表面與所述第一上表面之間的距離比所述第二方向上的所述第三側面與所述第一側面之間的距離、以及所述第二方向上的所述第四側面與所述第二側面之間的距離都長。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述突出部包括第三區域，該第三區域在俯視時相對于所述第一區域配置于所述第一側的相反側，

所述第三區域的第三上表面比所述第一上表面低且比所述第二上表面高，

所述第三區域的所述第二側的第五側面，在所述第二方向上相對于所述第一側面配置于所述第二側的相反側且相對于所述第三側面配置于所述第二側。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，

所述第四側面在所述第二方向上相對于所述第二側面配置于所述第二側，

所述第三區域的與所述第二側相反側的第六側面，在所述第二方向上相對于所述第二側面配置于所述第二側且相對于所述第四側面配置于所述第二側的相反側。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第二柵極絕緣膜包括：

第一氧化硅膜；

所述第一氧化硅膜上的第一氮化硅膜；以及

所述第一氮化硅膜上的第二氧化硅膜。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

由所述第一柵極絕緣膜、所述第一柵電極、所述第二柵極絕緣膜以及所述第二柵電極形成了非易失性存儲器。