[發明專利]太陽能電池

在審

• 申請號: 201611008511.3
• 申請日: 2016-11-16
• 公開（公告）號: CN107978644A
• 公開（公告）日: 2018-05-01
• 發明（設計）人: 陳亮斌;蒲瑞臻
• 申請（專利權）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/042
• 代理公司: 北京匯澤知識產權代理有限公司11228
• 代理人: 毛廣杰

1.一種太陽能電池，其特征在于，包括：

一基板，為第一導電型，該基板具有一正面和一與該正面相對的背面；

一射極層，為第二導電型，該射極層位于該基板內靠近該正面處；

一背電場層，為第一導電型，該背電場層位于該基板內靠近該背面處；

一抗反射層，位于該正面處；

一氧化鋁層，位于該背面處；

一鈍化層，包括依序排列的一第一氮化硅層、一第二氮化硅層及一第三氮化硅層，其中：

該第一氮化硅層的氫含量/氮含量的比值小于該第二氮化硅層的氫含量/氮含量的比值；以及

該第一氮化硅層接觸該氧化鋁層，且該第一氮化硅層及該第三氮化硅層的氮含量分別大于該第二氮化硅層的氮含量；

一正面電極，穿過該抗反射層，并接觸該射極層；以及

一背面電極，穿過該鈍化層及該氧化鋁層，并接觸該背電場層。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第一氮化硅層的氫含量小于該第二氮化硅層的氫含量。

3.根據權利要求2所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第三氮化硅層的氫含量也小于該第二氮化硅層的氫含量。

4.根據權利要求1或3所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第一氮化硅層的折射率小于該第二氮化硅層的折射率。

5.根據權利要求4所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第三氮化硅層的折射率也小于該第二氮化硅層的折射率。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第一氮化硅層及第三氮化硅層的折射率均小于2，且該第二氮化硅層的折射率大于2.4。

7.根據權利要求1或3所述的太陽能電池，其特征在于，其中：

該第二氮化硅層包括第一及第二氮化硅薄膜；

該鈍化層還包括一緩沖層，該緩沖層包括第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜；以及

該第一氮化硅層、該第三氮化硅薄膜、該第一氮化硅薄膜、該第四氮化硅薄膜、該第二氮化硅薄膜、該第五氮化硅薄膜及該第三氮化硅層依序排列。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜的折射率小于該第一氮化硅薄膜及第二氮化硅薄膜的折射率。

9.根據權利要求8所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第一氮化硅層及第三氮化硅層的折射率小于該第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜的折射率。

10.根據權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第一氮化硅層及第三氮化硅層的折射率均小于1.9，該第三氮化硅薄膜、第四氮化硅薄膜及第五氮化硅薄膜的折射率介于1.9與2.4之間，且該第一氮化硅薄膜及第二氮化硅薄膜的折射率大于2.4。

11.根據權利要求9所述的太陽能電池，其特征在于，其中該鈍化層還包括一第四氮化硅層，該第四氮化硅層配置于該第三氮化硅層的一外側，且該第四氮化硅層的硅含量大于該第一氮化硅層、第二氮化硅層及第三氮化硅層的硅含量。

12.根據權利要求11所述的太陽能電池，其特征在于，其中該第四氮化硅層的折射率大于2.4。

13.根據權利要求11所述的太陽能電池，其特征在于，其中該鈍化層還包括一硅氮氧化物層，該硅氮氧化物層配置于該第四氮化硅層的一外側。

14.根據權利要求13所述的太陽能電池，其特征在于，其中該鈍化層還包括一硅氧化物層，該硅氧化物層配置于該氧化鋁層與該基板的背面之間。