[發(fā)明專(zhuān)利]一種鈰元素?fù)诫s的三氧化鉬納米條帶氣敏材料的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611007621.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106587154A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李卓起;宋鵬;王瑋杰;趙志成;張佳 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 濟(jì)南大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | C01G39/02 | 分類(lèi)號(hào): | C01G39/02;G01N33/00 |
| 代理公司: | 濟(jì)南譽(yù)豐專(zhuān)利代理事務(wù)所(普通合伙企業(yè))37240 | 代理人: | 李茜 |
| 地址: | 250022 山東*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 元素 摻雜 氧化鉬 納米 條帶 材料 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種鈰元素?fù)诫s的三氧化鉬納米條帶氣敏材料的制備方法。
背景技術(shù)
氣體傳感器的開(kāi)發(fā)已經(jīng)成為關(guān)系到當(dāng)今社會(huì)人類(lèi)可持續(xù)發(fā)展戰(zhàn)略實(shí)施的重要組成部分,其廣泛用于化學(xué)、化工、環(huán)保、安全生產(chǎn)和日常生活等領(lǐng)域的有毒、有害氣體的預(yù)報(bào)與檢測(cè),具有廣闊的應(yīng)用前景,日益成為世界各國(guó)共同關(guān)注的重要課題之一。
MoO3作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,表面存在有與待測(cè)氣體選擇性作用的活性位點(diǎn),因此具有很好的氣敏特性。氣敏材料在相應(yīng)溫度下對(duì)NH3、H2、CO、NO2等氣體均表現(xiàn)出一定的氣敏性,但是單純的MoO3氣敏材料對(duì)各種氣體的響應(yīng)在靈敏度、選擇性、響應(yīng)速度等方面都不太理想,所以為了提高M(jìn)oO3材料的氣敏性能,對(duì)MoO3材料納米化及摻雜改性是當(dāng)前改善MoO3氣敏材料的重要手段,已成為氣體傳感器領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。例如CN201510972803.8提供一種固相化學(xué)反應(yīng)合成稀土摻雜納米三氧化鉬氣敏材料的方法,所述的氣敏材料具備產(chǎn)品產(chǎn)率高、環(huán)境友好、易于實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)的特點(diǎn)。采用同本發(fā)明所述應(yīng)用相似的氣敏元器件,具有感應(yīng)靈敏度高、氣體選擇性好、響應(yīng)恢復(fù)速度快的優(yōu)點(diǎn)。
數(shù)據(jù)資料顯示,O元素的電負(fù)性為3.44個(gè)單位。第5周期元素Mo類(lèi)屬VI B族,電負(fù)性為2.16個(gè)單位,通常認(rèn)為MoO3以共價(jià)鍵的形式結(jié)合。而第6周期元素Ce類(lèi)屬ΙΙΙ B族,電負(fù)性為1.12個(gè)單位,以離子鍵的形式形成CeO2。同時(shí)值得注意的還有,Mo元素的共價(jià)半徑為1.3 ?,而Ce4+的離子半徑為1.034 ?,所以Ce4+容易摻入到Mo-O鍵中去,故在納米化MoO3材料摻雜改性方面,Ce4+應(yīng)當(dāng)成為一個(gè)不錯(cuò)選擇。然而想要直接摻入半導(dǎo)體晶格的間隙中去卻沒(méi)有那么容易,只有當(dāng)晶體中出現(xiàn)有晶格空位后,雜質(zhì)原子才有可能進(jìn)去占據(jù)這些空位,從而進(jìn)入到MoO3納米晶體。為了讓MoO3納米晶體中產(chǎn)生出大量的晶格空位,就要對(duì)體系加熱,讓晶體原子的熱運(yùn)動(dòng)加劇,以使得某些原子獲得足夠高的能量而離開(kāi)晶格位置、留下空位(與此同時(shí)也產(chǎn)生出等量的間隙原子,空位和間隙原子統(tǒng)稱(chēng)為熱缺陷),也因此原子的擴(kuò)散系數(shù)隨著溫度的升高而指數(shù)式增大,從而達(dá)到大離子摻入小離子晶體的目的。這種熱擴(kuò)散技術(shù)在半導(dǎo)體摻雜材料領(lǐng)域的應(yīng)用也引出了本發(fā)明所涉及的制備方法。
使用一維納米材料的氣體傳感器往往表現(xiàn)出靈敏度高、工作溫度低和響應(yīng)恢復(fù)時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。GALATSIS K等人在<<Comparison of single and binary oxide MoO3, TiO2and WO3 sol-gel gas>>一文中提到,三氧化鉬在眾多領(lǐng)域特別是氣體敏感檢測(cè)元件、催化材料等方面具有潛在的廣泛應(yīng)用。
由此觀(guān)之,如果將一維納米材料的優(yōu)點(diǎn)和三氧化鉬半導(dǎo)體活性位點(diǎn)特點(diǎn)相結(jié)合,加之由鈰元素?fù)诫s造成晶體缺陷而產(chǎn)生的顯著性能提升,制備出一維氧化鉬納米條帶,并充分發(fā)揮其氣敏性能,應(yīng)用到氣體傳感器等領(lǐng)域,那么無(wú)論是從理論上還是從實(shí)際應(yīng)用上都會(huì)產(chǎn)生重要的意義。
發(fā)明內(nèi)容
鈰作為地球上豐度最高的稀土元素,開(kāi)發(fā)成本相對(duì)較低,同時(shí)因其離子半徑適當(dāng)而易于摻入三氧化鉬晶格,以提高晶體性能。本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種鈰元素?fù)诫s的三氧化鉬納米條帶氣敏材料的制備方法。
鈰元素?fù)诫s的三氧化鉬納米條帶氣敏材料,是以納米三氧化鉬為基體,摻入一定比例的鈰元素經(jīng)液相水熱合成法制得的。將固體鉬酸銨經(jīng)高溫煅燒,燒焙生成高純度的α-MoO3,與固相鈰鹽按照一定比例混合,加入一定量的過(guò)氧化氫,再加入一定量的硝酸,在高溫條件下進(jìn)行液相化學(xué)反應(yīng),生成固相產(chǎn)物經(jīng)洗滌、干燥,即可制得橫截半徑為100nm—150nm的鈰元素?fù)诫s的三氧化鉬納米條帶。
根據(jù)本發(fā)明,一種鈰元素?fù)诫s的三氧化鉬納米條帶氣敏材料的制備方法,具體步驟如下:
(1)高溫煅燒固體鉬酸銨,得到固體α-MoO3;
(2)燒焙生成的α-MoO3與鈰鹽配置出混合溶液,所述金屬鉬和金屬鈰摩爾比滿(mǎn)足1:X, 0<X≤0.25;
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