[發明專利]顯示裝置有效
| 申請號: | 201611007129.0 | 申請日: | 2016-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN107403817B | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 林俊賢;胡順源;謝朝樺;毛立維;劉同凱;郭書銘;謝志勇 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 | ||
本申請提供一種顯示裝置,包括基板、晶體管、電容器以及發光單元。晶體管及電容器配置于基板上。發光單元配置于基板上且與電容器對應設置,其中發光單元包括第一發光二極管,第一發光二極管電性連接至晶體管,且第一發光二極管與電容器相重疊。本發明提供的顯示裝置,可具有良好的空間利用率、修補功能或減少失效機率。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種顯示裝置。
背景技術
由于發光二極管(light emitting diode,LED)顯示裝置具有主動式發光、高亮度、高對比、低功耗等優勢,且相較于有機發光二極管(organic light emitting diode,OLED)顯示裝置具有較長壽命等優點,因此近年來成為新型顯示器大力發展的技術之一。為了滿足高解析度的需求,發光二極管顯示裝置正朝向由主動元件陣列基板與陣列排列的微米尺寸的發光二極管組成的方向發展。
發明內容
本發明提供一種顯示裝置,可具有良好的空間利用率、修補功能或減少失效機率。
本發明的顯示裝置包括基板、晶體管、電容器以及發光單元。晶體管及電容器配置于基板上。發光單元配置于基板上且與電容器對應設置,其中發光單元包括第一發光二極管,第一發光二極管電性連接至晶體管,且第一發光二極管與電容器相重疊。
本發明的顯示裝置包括基板、晶體管以及發光單元。晶體管配置于基板上。發光單元配置于基板上,其中發光單元包括多個發光二極管,多個發光二極管共同電性連接至晶體管,且多個發光二極管中的至少兩個彼此相并聯。
本發明的顯示裝置包括基板、晶體管以及發光單元。晶體管配置于基板上。發光單元配置于基板上,其中發光單元包括兩個發光二極管,兩個發光二極管電性連接至晶體管,且兩個發光二極管分別包括第一子發光二極管及第二子發光二極管,以及其中兩個發光二極管彼此串聯,且第一子發光二極管與第二子發光二極管彼此并聯。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施方式,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1是本發明的第一實施方式的顯示裝置的局部上視示意圖;
圖2是本發明的第一實施方式的顯示裝置的局部剖面示意圖;
圖3是本發明的第一實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖4是本發明的第二實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖5是本發明的第三實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖6是本發明的第四實施方式的顯示裝置的局部上視示意圖;
圖7是本發明的第四實施方式的顯示裝置的局部剖面示意圖;
圖8是本發明的第四實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖9是本發明的第五實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖10是本發明的第六實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖11是本發明的第七實施方式的顯示裝置的局部剖面示意圖;
圖12是本發明的第八實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖13是圖12中的區域X的示意圖;
圖14是本發明的第九實施方式的顯示裝置的局部等效電路圖;
圖15是圖14中的區域Y的示意圖。
附圖標記:
10、20、30、40、50、60、70、80、90:顯示裝置;
100:陣列基板;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于群創光電股份有限公司,未經群創光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611007129.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





