[發明專利]一種氟代硼鈹酸鉀非線性光學晶體的水熱生長制備方法有效
| 申請號： | 201611005366.3 | 申請日： | 2016-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN107447255B | 公開（公告）日： | 2018-07-13 |
| 發明（設計）人： | 陳創天;吳若飛;王曉洋;劉麗娟 | 申請（專利權）人： | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號： | C30B29/10 | 分類號： | C30B29/10;C30B7/10 |
| 代理公司： | 北京方安思達知識產權代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇楊;王蔚 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非線性光學晶體 氟代 酸鉀 制備 堿金屬 硼源材料 氫氧化物 水熱生長 礦化劑 鹵化物 鉀源 鈹源 高溫高壓水 礦化劑溶液 混合原料 結晶生長 自發成核 摩爾比 熱條件 水熱釜 倍頻 放入 輸出 生長 | ||
【權利要求書】：
1.一種氟代硼鈹酸鉀非線性光學晶體的水熱生長制備方法，其制備步驟如下：
將鉀源材料、鈹源材料和硼源材料按照摩爾比K:Be:B=1～6:1～4:1～5的比例混合，利用礦化劑溶液為溶介將混合原料溶于礦化劑溶液中，在高溫高壓的水熱條件下保持7-15天，之后以1-10℃/小時的降溫速率降溫至室溫，過程中實現氟代硼鈹酸鉀的自發成核結晶生長得到氟代硼鈹酸鉀非線性光學晶體；
所述的礦化劑溶液為NH4OH或銨的鹵化物；所述高溫為320℃～450℃，所述高壓為200～1200個大氣壓；
所述的鉀源材料為氧化鉀、硝酸鉀或氫氧化鉀；
所述的硼源材料為氟化硼或氧化硼；
所述的鈹源材料為氟化鈹、氧化鈹或氟鈹酸鉀。
2.如權利要求1所述的氟代硼鈹酸鉀非線性光學晶體的水熱生長制備方法，其特征在于，所述銨的鹵化物為NH4F或NH4Cl。
3.如權利要求1所述的氟代硼鈹酸鉀非線性光學晶體的水熱生長制備方法，其特征在于，所述礦化劑溶液的濃度為0.1M-6M。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院理化技術研究所，未經中國科學院理化技術研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611005366.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：制備鋁鎵酸鉍薄膜的氣體脈沖序列
- 下一篇：一種亞麻纖維的制備方法
