[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611005065.0 | 申請日: | 2016-11-15 |
| 公開(公告)號: | CN107437551B | 公開(公告)日: | 2020-03-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林俊賢;謝朝樺;凃博閔;洪梓健;彭建忠;黃世晟 | 申請(專利權)人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本揭露涉及一種顯示裝置及其制造方法。顯示裝置包括基板、發(fā)光二極管、第一凸塊、第一絕緣層以及第二絕緣層。發(fā)光二極管具有相對的第一表面與第二表面,其中第一表面面向基板。發(fā)光二極管通過第一凸塊與基板連接。第一絕緣層配置于第一凸塊與發(fā)光二極管的周側且與第一凸塊及第一表面接觸。第二絕緣層配置于基板上且至少圍繞部分第一絕緣層。本技術方案能緩沖發(fā)光二極管與基板進行接合時的作用力,對發(fā)光二極管提供遮光或保護等功效。
技術領域
本揭露涉及一種裝置及其制造方法,且尤其涉及一種顯示裝置及其制造方法。
背景技術
由于發(fā)光二極管(light emitting diode,LED)顯示裝置具有主動式發(fā)光、高亮度、高對比、低功耗等優(yōu)勢,且相較于有機發(fā)光二極管(organic light emitting diode,OLED)顯示裝置具有較長壽命等優(yōu)點,因此近年來成為新型顯示器大力發(fā)展的技術之一。為了滿足高解析度的需求,發(fā)光二極管顯示裝置正朝向由主動元件陣列基板與陣列排列的微米尺寸的發(fā)光二極管組成的方向發(fā)展。
發(fā)明內容
本揭露提供一種顯示裝置,其具有提供保護的絕緣層結構。
本揭露提供一種顯示裝置的制造方法,其中絕緣層能緩沖發(fā)光二極管與基板進行接合時的作用力。
本揭露的顯示裝置包括基板、發(fā)光二極管、第一凸塊、第一絕緣層以及第二絕緣層。發(fā)光二極管具有相對的第一表面與第二表面,其中第一表面面向基板。發(fā)光二極管通過第一凸塊與基板連接。第一絕緣層配置于第一凸塊與發(fā)光二極管的周側且與第一凸塊及第一表面接觸。第二絕緣層配置于基板上且至少圍繞部分第一絕緣層。
本揭露的顯示裝置的制造方法包括以下步驟。于一發(fā)光二極管上形成與發(fā)光二極管電性連接的至少一第一凸塊。形成一第一絕緣層,其中第一絕緣層至少配置于第一凸塊的周側且與其接觸,并至少圍繞部分發(fā)光二極管。通過使第一凸塊與一基板的一第一電極接合,以接合發(fā)光二極管與基板。于基板上形成一第二絕緣層,其中第二絕緣層至少圍繞部分發(fā)光二極管。
基于上述,本揭露的第一絕緣層配置于凸塊與發(fā)光二極管的周側且與凸塊及第一表面接觸,以及第二絕緣層至少圍繞部分第一絕緣層。因此,能緩沖發(fā)光二極管與基板進行接合時的作用力,以及對發(fā)光二極管提供遮光或保護等功效。如此一來,包括發(fā)光二極管的顯示裝置具有良好的元件特性或良率。
為讓本揭露的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1A是依照本揭露的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖1B是圖1A的局部放大圖。
圖2A至圖2G是圖1B的顯示裝置中的發(fā)光單元的制作方法的流程示意圖。
圖3A是依照本揭露的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖3B是依照本揭露的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖4是依照本揭露的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖5A是依照本揭露的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
圖5B是圖5A的局部放大圖。
圖6是依照本揭露的一實施例的顯示裝置的剖面示意圖。
具體實施方式
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





