[發明專利]一種高介電性能晶界層陶瓷電容器介質

有效

• 申請號: 201611004597.2
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號: CN106587989B
• 公開（公告）日: 2019-08-02
• 發明（設計）人: 黃新友;高春華;李軍
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: C04B35/468
• 分類號: C04B35/468;C04B35/626;C04B35/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高介電性能晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于：介質配方組成，按照重量百分比計算：Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃ 88-96％，Ba(Fe_1/2Nb_1/2)O₃ 0.1-3％，Dy₂O₃ 0.1-4％，SiO₂ 0.1-2.0％,Al₂O₃0.1-2.5％,MnNb₂O₆0.03-4.0％，SiO₂-Li₂O-B₂O₃玻璃粉(SLB)0.1-2.0％，CuO0.01-3％；其中Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃、Ba(Fe_1/2Nb_1/2)O₃、SiO₂-Li₂O-B₂O₃玻璃粉(SLB)分別是采用常規的化學原料以固相法合成；所述高介電性能晶界層陶瓷電容器介質的制備工藝如下：首先采用常規的化學原料用固相法分別合成Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃、Ba(Fe_1/2Nb_1/2)O₃、MnNb₂O₆、SiO₂-Li₂O-B₂O₃玻璃粉(SLB)，然后按上述配方配料，將配好的料用蒸餾水或去離子水采用行星球磨機球磨混合，料、球和水的質量比＝1:3:(0.6～1.0)，球磨4～8小時后，烘干得干粉料，在干粉料中加入占其重量8～10％的濃度為10wt％的聚乙烯醇溶液，進行造粒，混研后過40目篩，再在20～30Mpa壓力下進行干壓成生坯片，先在氮氣中500℃以前排膠，然后在高于1000℃后以慢速升溫，升溫速率為30-50℃/小時，然后于1270-1290℃保溫3-5小時燒結，然后冷卻到900-950℃于空氣中保溫2-3小時處理，最后隨爐冷卻，再在780～800℃下保溫15分鐘進行燒銀，形成銀電極，再焊引線，進行包封，即得高介電性能晶界層陶瓷電容器。

2.如權利要求1所述的一種高介電性能晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于，所述的Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃是采用如下工藝制備的：將常規的化學原料BaCO₃和TiO₂和SnO₂按1：0.9：0.1摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于1250℃保溫120分鐘，然后冷卻，冷卻后得到Ba(Ti_0.9Sn_0.1)O₃,研磨過200目篩，備用。

3.如權利要求1所述的一種高介電性能晶界層陶瓷電容器介質，其特征在于，所述的SiO₂-Li₂O-B₂O₃玻璃粉(SLB)是采用如下工藝制備的：將常規的化學原料SiO₂和Li₂CO₃和B₂O₃按1：0.5：0.5的摩爾比配料，研磨混合均勻后放入氧化鋁坩堝內于600-650℃保溫120分鐘，然后在水中淬冷，冷卻后得到SiO₂-Li₂O-B₂O₃玻璃粉,研磨過200目篩，備用。