[發明專利]一種高性能氫化鎂可逆制氫體系及制氫方法在審
| 申請號： | 201611003496.3 | 申請日： | 2016-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN106629594A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 王葵葵;吳廣磊;曹海杰 | 申請（專利權）人： | 青島大學 |
| 主分類號： | C01B3/04 | 分類號： | C01B3/04;C01B3/00 |
| 代理公司： | 北京匯捷知識產權代理事務所(普通合伙)11531 | 代理人： | 李宏偉 |
| 地址： | 266071 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 性能 氫化 可逆 體系 方法 | ||
1.一種氫化鎂高性能可逆制氫體系，其特征在于，所述制氫體系完全為固體，由氫化鎂/中孔炭復合體系和五氧化二鈮兩種固體粉末組成，兩種固體粉末的重量比為1:0.2，兩種固體粉末的粒徑為1～100μm。
2.根據權利要求1所述的一種氫化鎂高性能可逆制氫體系，其特征在于，所述制氫體系中氫化鎂/中孔炭復合體系和五氧化二鈮兩種固體粉末的制備方法為熔融法或濕化學法。
3.根據權利要求1所述的一種氫化鎂高性能可逆制氫體系，其特征在于，所述制氫體系中的放氫過程需要加熱，其加熱溫度為300～400℃。
4.根據權利要求1所述的一種氫化鎂高性能可逆制氫體系，其特征在于，所述制氫體系中的放氫過程為真空。
5.根據權利要求1所述的一種氫化鎂高性能可逆制氫體系，其特征在于，所述制氫體系中的吸氫條件為350℃，2MPaH2。
6.根據權利要求1所述的一種氫化鎂高性能可逆制氫體系，其特征在于，所述制氫體系中的放氫產物為Mg/H2。
7.一種氫化鎂高性能可逆制氫體系的制氫方法，其特征在于，所述制氫方法指將氫化鎂/中孔炭復合體系和五氧化二鈮兩種固體粉末，通過球磨方法充分混合，將兩種粉末混合均勻后置于密閉反應器中，在無催化劑作用下加熱制氫，并可通過吸氫循環利用，放氫反應如下：MgH2→Mg+H2。
8.根據權利要求7所述的一種氫化鎂高性能可逆制氫體系的制氫方法，其特征在于，所述反應器無需復雜裝置，材質為不銹鋼類的耐高溫材料。
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