[發明專利]短漂移區的部分絕緣層上薄膜硅LDMOS晶體管在審
| 申請號： | 201611003267.1 | 申請日： | 2016-11-15 |
| 公開（公告）號： | CN106571396A | 公開（公告）日： | 2017-04-19 |
| 發明（設計）人： | 黃啟俊;胡月;高潮 | 申請（專利權）人： | 揚州江新電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責任公司32102 | 代理人： | 陳棟智 |
| 地址： | 225000 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 漂移 部分 絕緣 薄膜 ldmos 晶體管 | ||
【權利要求書】：
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