[發(fā)明專利]一種內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611003252.5
• 申請日: 2016-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN106590633B
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C09K11/56
• 分類號(hào): C09K11/56;C09K11/88;C01G11/02;B82Y20/00;B82Y40/00;H01L33/50
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發(fā)明公開一種內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核及其制備方法，其中，所述方法包括：將預(yù)先制備好的至少兩種陽離子前驅(qū)體溶液攪拌混勻并加熱至預(yù)定溫度后，注入制備好的至少一種陰離子前驅(qū)體溶液進(jìn)行成核反應(yīng)，通過在成核反應(yīng)過程中以逐漸變化的速度繼續(xù)注入陽離子前驅(qū)體溶液或陰離子前驅(qū)體溶液或同時(shí)注入陽離子前驅(qū)體溶液和陰離子前驅(qū)體溶液，使成核反應(yīng)過程中各成分的反應(yīng)速率保持相對穩(wěn)定且成核的化學(xué)計(jì)量比相對一致，從而制得內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核。通過本發(fā)明方法有效解決了合金量子點(diǎn)核內(nèi)外成分不均一以及發(fā)光效率低、波長及熒光強(qiáng)度不穩(wěn)定的問題，并且本發(fā)明提供的方法具有操作簡單易調(diào)控，可重復(fù)性高等優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及量子點(diǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核及其制備方法。

背景技術(shù)

在量子點(diǎn)發(fā)光二極管中，獲取高效的器件效率和較長的壽命一直是科研工作者追求的兩大目標(biāo)，然而在提高器件效率方面，量子點(diǎn)的熒光強(qiáng)度的高低是制約器件效率的重要因素，對于較高量子產(chǎn)率的量子點(diǎn)而言，要想獲取較好的器件效率以及較長壽命對電致發(fā)光量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)也有相應(yīng)的要求。

合金量子點(diǎn)由于具有帶隙可調(diào)、熒光強(qiáng)度高以及穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)而備受關(guān)注，在制備相應(yīng)發(fā)光波段合金量子點(diǎn)時(shí)，制備高質(zhì)量的合金核是較為關(guān)鍵的步驟，在合金量子點(diǎn)核的合成反應(yīng)過程中，因不同的陰陽例子結(jié)合的反應(yīng)速率不同會(huì)造成合金核的內(nèi)外成分有差異。然而在構(gòu)筑QLED器件時(shí)，如何有效的使電子與空穴對更好的在量子點(diǎn)內(nèi)核發(fā)光層復(fù)合是關(guān)鍵因素。眾所周知，對于任何晶體而言，各個(gè)部分的成分越均一其相對應(yīng)的能帶越連續(xù)，從而也越有利于電子與空穴對的復(fù)合，進(jìn)而減少了捕獲復(fù)合與俄歇復(fù)合。

目前基于有機(jī)金屬前驅(qū)體油相路徑合成量子點(diǎn)核仍然是主要的方式，對于這種方式的成核方法幾乎都是依次快速熱注入前驅(qū)體，而一次快速熱注入成核的方式在成核結(jié)束時(shí)得到的量子點(diǎn)合金內(nèi)外成分都不均一。基于這種方式一般獲取合金量子點(diǎn)核內(nèi)外成分均一的方法主要是通過長時(shí)間高溫熟化，而在高溫熟化時(shí)，由于未反應(yīng)完全的前驅(qū)體的殘余對合金核的成分變化有一定的影響進(jìn)而會(huì)造成波長或熒光強(qiáng)度不穩(wěn)定，同時(shí)也會(huì)影響后續(xù)的長殼過程，而且不利于重復(fù)。內(nèi)外成分不均勻的合金核勢必會(huì)因晶格錯(cuò)位而引起發(fā)光效率不高，也會(huì)造成電子與空穴對出現(xiàn)捕獲復(fù)合和俄歇復(fù)合的幾率增大，進(jìn)而影響QLED器件的發(fā)光效率。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有的合金量子點(diǎn)核制備方法重復(fù)性差，并且制得的合金量子點(diǎn)核內(nèi)外成分不均一，導(dǎo)致發(fā)光效率低、波長及熒光強(qiáng)度不穩(wěn)定的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核的制備方法，其中，包括步驟：

A、預(yù)先制備至少兩種陽離子前驅(qū)體溶液和至少一種陰離子前驅(qū)體溶液，備用；

B、將所述至少兩種陽離子前驅(qū)體溶液攪拌混勻并加熱至預(yù)定溫度后，注入所述至少一種陰離子前驅(qū)體溶液進(jìn)行成核反應(yīng)；

C、在成核反應(yīng)過程中以逐漸變化的速度繼續(xù)注入陽離子前驅(qū)體溶液或陰離子前驅(qū)體溶液或同時(shí)注入陽離子前驅(qū)體溶液和陰離子前驅(qū)體溶液，使成核反應(yīng)過程中各成分的反應(yīng)速率保持相對穩(wěn)定且成核的化學(xué)計(jì)量比相對一致，從而制得內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核。

較佳地，所述的內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核的制備方法，其中，所述陽離子前驅(qū)體溶液為Cd(OA)₂、Zn(OA)₂、In(OA)₂、Cu(OA)₂或Pb(OA)₂中的一種。

較佳地，所述的內(nèi)外成分均一的合金量子點(diǎn)核的制備方法，其中，所述陰離子前驅(qū)體溶液為S-ODE、S-TOP、S-OA、Se-TOP、S-OLA、S-TBP、Se-TBP、Te-ODE、Te-OA、Te-TOP或Te-TBP中的一種。