[發明專利]一種超低剩余反射率ZnS基底長波減反射薄膜有效
| 申請號： | 201611000421.X | 申請日： | 2016-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN106443841B | 公開（公告）日： | 2018-10-26 |
| 發明（設計）人： | 劉華松;楊霄;孫鵬;冷健;季一勤 | 申請（專利權）人： | 天津津航技術物理研究所 |
| 主分類號： | G02B1/115 | 分類號： | G02B1/115 |
| 代理公司： | 中國兵器工業集團公司專利中心 11011 | 代理人： | 劉東升 |
| 地址： | 300308 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 剩余 反射率 zns 基底 長波 反射 薄膜 | ||
【說明書】：
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