[發明專利]一種SD卡讀取異常的復位方法及系統

有效

• 申請號: 201610998935.2
• 申請日: 2016-11-14
• 公開（公告）號: CN108073462B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 陳遠;陳茹濤;肖振隆;蘭偉華
• 申請（專利權）人: 廈門雅迅網絡股份有限公司
• 主分類號: G06F11/07
• 分類號: G06F11/07;G06F1/24
• 代理公司: 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204
• 代理人: 連耀忠

1.一種SD卡讀取異常的復位方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)SD卡復位電路的檢測端檢測到SD卡插入車載電子設備，通過輸出端發送低電平信號至CPU；

2)CPU接收SD卡復位電路輸出端發送的低電平信號；讀取SD卡數據，并將讀取的SD卡的數據與內部緩存進行對比，判斷數據未更新時，發送低電平復位信號至SD卡復位電路的復位端；

3)SD卡復位電路的復位端接收CPU發送的低電平復位信號，將SD卡斷電；SD卡復位電路判定SD卡未插入車載電子設備，通過輸出端發送高電平信號至CPU；

4)CPU接收SD卡復位電路的輸出端發送的高電平信號；發送高電平信號至SD卡復位電路的復位端；

5)SD卡復位電路的復位端接收CPU發送的高電平信號，將SD卡上電；SD卡復位電路判定SD卡插入車載電子設備；

所述SD卡復位電路包括：

第一開關電路，所述第一開關電路包括一三極管，所述三極管的基極通過復位端與CPU相連，其發射極通過檢測端與SD卡相連，其集電極通過輸出端與CPU相連；

第二開關電路，所述第二開關電路包括一MOS管，所述MOS管的柵極與所述三極管的集電極相連，其源極與系統電源相連，其漏極與SD卡電源端相連。

2.根據權利要求1所述的SD卡讀取異常的復位方法，其特征在于，所述讀取SD卡數據，并將讀取的SD卡的數據與內部緩存進行對比步驟中，讀取SD卡數據并進行比對的次數為預設置。

3.根據權利要求1所述的SD卡讀取異常的復位方法，其特征在于，所述第一開關電路還包括：第一上拉電阻、第二限流電阻和第三上拉電阻；所述第一上拉電阻和第二限流電阻串聯于系統電源和所述三極管的基極之間；所述復位端通過所述第二限流電阻與所述三極管的基極相連；所述三極管的集電極通過所述第三上拉電阻與系統電源相連。

4.根據權利要求3所述的SD卡讀取異常的復位方法，其特征在于，所述第一開關電路還包括：第一濾波電容，所述第二限流電阻與所述第一濾波電容串聯于所述復位端與地之間。

5.根據權利要求1所述的SD卡讀取異常的復位方法，其特征在于，所述系統電源為3.3V。

6.一種SD卡讀取異常的復位系統，其特征在于，包括：設置在車載電子設備內部的CPU和SD卡復位電路，以及可在所述車載電子設備上進行插拔的SD卡；所述SD卡復位電路與所述SD卡連接用于檢測所述SD卡的插拔狀態；所述CPU與所述SD卡復位電路連接用于接收所述SD卡的插拔狀態；所述CPU與所述SD卡連接用于讀取SD卡數據，并根據數據更新狀態判斷是否讀取所述SD卡數據異常，進而向所述SD卡復位電路觸發復位信號使SD卡重新下電或上電；

所述SD卡復位電路包括：

第一開關電路，所述第一開關電路包括一三極管，所述三極管的基極通過復位端與CPU相連，其發射極通過檢測端與SD卡相連，其集電極通過輸出端與CPU相連；

第二開關電路，所述第二開關電路包括一MOS管，所述MOS管的柵極與所述三極管的集電極相連，其源極與系統電源相連，其漏極與SD卡電源端相連。

7.根據權利要求6所述的SD卡讀取異常的復位系統，其特征在于，所述第一開關電路還包括：第一上拉電阻、第二限流電阻和第三上拉電阻；所述第一上拉電阻和第二限流電阻串聯于系統電源和所述三極管的基極之間；所述復位端通過所述第二限流電阻與所述三極管的基極相連；所述三極管的集電極通過所述第三上拉電阻與系統電源相連。

8.根據權利要求7所述的SD卡讀取異常的復位系統，其特征在于，所述第一開關電路還包括：第一濾波電容，所述第二限流電阻與所述第一濾波電容串聯于所述復位端與地之間。