[發(fā)明專利]一種高溫度穩(wěn)定陶瓷電容器介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610998071.4 | 申請日： | 2016-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN106587988B | 公開（公告）日： | 2019-10-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃新友;陳磊;高春華;李軍 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇大學 |
| 主分類號： | C04B35/468 | 分類號： | C04B35/468;C04B35/626;C04B35/638;C04B41/88;H01G4/12 |
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| 地址： | 212013 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 溫度 穩(wěn)定 陶瓷 電容器 介質(zhì) | ||
本發(fā)明涉及無機非金屬材料技術(shù)領(lǐng)域，特指一種高溫度穩(wěn)定陶瓷電容器介質(zhì)。介質(zhì)配方組成，按照重量百分比計算：BaTiO355?90％，SrTiO32?25％，CaZrO32?15％，BiLiTiSiO60.5?6％，(Li1/2La1/2)TiO30.1?8.5％，WO30.1?0.8％，MnO20.03?1.0％。本介質(zhì)的介電常數(shù)高，為5800以上；耐電壓高，直流耐電壓可達15kV/mm以上；介質(zhì)損耗小，小于0.4％；本介質(zhì)的介電常數(shù)較高，能實現(xiàn)陶瓷電容器的小型化和大容量,同樣能降低成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及無機非金屬材料技術(shù)領(lǐng)域，特指一種高溫度穩(wěn)定陶瓷電容器介質(zhì)；它采用常規(guī)的陶瓷電容器介質(zhì)制備方法，利用電容器陶瓷普通化學原料，制備得到無鉛、無鎘的高介高溫度穩(wěn)定陶瓷電容器介質(zhì)，還能降低電容器陶瓷的燒結(jié)溫度，該介質(zhì)適合于制備單片陶瓷電容器，能大大降低陶瓷電容器的成本,同時能提高溫度穩(wěn)定性以擴大陶瓷電容器的應(yīng)用范圍，并且在制備和使用過程中不污染環(huán)境。
背景技術(shù)
彩電、電腦、通迅、航空航天、導彈、航海等領(lǐng)域迫切需要擊穿電壓高、溫度穩(wěn)定性好、可靠性高、小型化、大容量的陶瓷電容器。一般單片高壓陶瓷電容器介質(zhì)的燒結(jié)溫度為1350～1430℃，而本發(fā)明的陶瓷電容器介質(zhì)燒結(jié)溫度為1200～1230℃，這樣能大大降低高壓陶瓷電容器的成本，同時本專利電容器陶瓷介質(zhì)不含鉛和鎘，電容器陶瓷在制備和使用過程中不污染環(huán)境；另外，本發(fā)明的電容器陶瓷的介電常數(shù)較高，這樣會提高陶瓷電容器的容量并且小型化，符合陶瓷電容器的發(fā)展趨勢,同樣也會降低陶瓷電容器的成本。
通常用于生產(chǎn)高壓陶瓷電容器的介質(zhì)中含有一定量的鉛，這不僅在生產(chǎn)、使用和廢棄過程中對人體和環(huán)境造成危害，而且對性能穩(wěn)定性也有不良影響。
中國期刊《電子元件與材料》1989年第5期在“高介高壓2B4介質(zhì)陶瓷”一文中公開了一種高壓陶瓷電容器介質(zhì)材料，該介質(zhì)材料采用97.8wt.％BaTiO3+0.8wt.％Bi2O3+0.7wt.％Nb2O5+0.5wt.％CeO2+0.2wt.％MnO2的配方，以常規(guī)的工藝制備試樣，其介電常數(shù)ε＝2500～2600，tgδ＝0.5-1.4％,直流耐壓強度為7KV/mm。該介質(zhì)雖屬無鉛介質(zhì)材料，但它存在耐壓性較差，介電常數(shù)太小。配方組成不同于本專利。
中國專利“一種高壓陶瓷電容器介質(zhì)”(專利號ZL00112050.6)公開的電容器陶瓷介質(zhì)雖屬無鉛介質(zhì)材料，但介電常數(shù)為1860-3300，耐電壓可以達到10kV/mm以上(直流)，燒結(jié)溫度為1260-1400℃，比本專利高。介電常數(shù)太小，遠低于本專利，而且配方組成不同于本專利。
中國期刊《江蘇陶瓷》1999年第2期在“BaTiO3系低溫燒成高介X7R電容器瓷料”一文中公開了一種BaTiO3中低溫燒成高介滿足X7R特性的電容器瓷料，該介質(zhì)材料的配方組成為(質(zhì)量百分數(shù))：(BaTiO3+Nd2O3)89％～92％+Bi2O3·2TiO27.5～10％+低熔點玻璃料0.8％+50％Mn(NO3)2(水溶液)0.205％。其中，所用的低熔點玻璃料是硼硅酸鉛低熔點玻璃，介質(zhì)是含鉛的，并且未涉及耐電壓,介電常數(shù)小于3500,遠小于本專利的介電常數(shù),介質(zhì)的配方組成也不同于本發(fā)明專利。
另有專利“一種低損耗高壓陶瓷電容器介質(zhì)”(專利申請?zhí)枺?01010588021.1)，該專利的介質(zhì)雖然介電損耗低，但是容量溫度特性較差，不符合X7R特性，介電常數(shù)比本專利的低，配方不同于本專利。
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