[發明專利]信息存儲元件和存儲裝置

有效

• 申請號: 201610997701.6
• 申請日: 2012-07-25
• 公開（公告）號: CN106887247B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 山根一陽;細見政功;大森廣之;別所和宏;肥后豐;淺山徹哉;內田裕行
• 申請（專利權）人: 索尼公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16;H01F10/32;H10N50/85;H10B61/00
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 田喜慶;吳孟秋

1.一種信息存儲元件，包括：包括CoFeB的第一層，具有45nm以下的直徑以便能夠根據磁性材料的磁化狀態存儲信息，其中，所述磁化狀態被配置為隨電流變化；絕緣層，耦合至所述第一層，所述絕緣層包括MgO；以及第二層，與所述第一層相對地耦合至所述絕緣層，所述第二層包括固定的磁化以便能夠用作所述第一層的基準，其中，所述第一層的尺寸等于或者小于磁化的方向被同時改變的尺寸，其中，所述直徑小于40nm，并且大于或等于30nm。

2.根據權利要求1所述的信息存儲元件，其中，所述第一層進一步包括非磁性材料。

3.根據權利要求1所述的信息存儲元件，其中，所述第一層和所述第二層具有垂直于膜表面的磁化。

4.一種信息存儲元件，包括：包括CoFeB的第一層，具有45nm以下的直徑和1.5nm的厚度以便能夠根據磁性材料的磁化狀態存儲信息，其中，所述磁化狀態被配置為隨電流變化；絕緣層，耦合至所述第一層，所述絕緣層包括非磁性材料；以及第二層，與所述第一層相對地耦合至所述絕緣層，所述第二層包括固定的磁化以便能夠用作所述第一層的基準，其中，所述第一層的尺寸等于或者小于磁化的方向被同時改變的尺寸，其中，所述直徑小于40nm，并且大于或等于30nm。

5.根據權利要求4所述的信息存儲元件，其中，所述第一層具有圓柱形的形狀。

6.根據權利要求4所述的信息存儲元件，其中，所述第一層和所述第二層具有垂直于膜表面的磁化。

7.根據權利要求4所述的信息存儲元件，其中，所述絕緣層包括MgO。

8.一種存儲裝置，包括：

存儲元件，根據磁性材料的磁化狀態來保持信息；以及

彼此交叉的兩種線，

其中，所述存儲元件包括：包括CoFeB的第一層，具有45nm以下的直徑；絕緣層，耦合至所述第一層，所述絕緣層包括MgO；以及第二層，與所述第一層相對地耦合至所述絕緣層，所述第二層包括固定的磁化以便能夠用作所述第一層的基準，并且其中，所述存儲元件介于所述兩種線之間，其中，所述第一層的尺寸等于或者小于磁化的方向被同時改變的尺寸，其中，所述直徑小于40nm，并且大于或等于30nm。