[發(fā)明專利]含有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉及其制造方法與應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610996692.9 | 申請日: | 2016-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN107964401A | 公開(公告)日: | 2018-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王仁宏;周文理;劉如熹;陳靜儀;戴文婉;李育群;蔡宗良 | 申請(專利權(quán))人: | 隆達(dá)電子股份有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/67 | 分類號: | C09K11/67;H01L33/50 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所11105 | 代理人: | 陳小雯 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 含有 片狀 結(jié)晶體 氟化物 熒光粉 及其 制造 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種波長轉(zhuǎn)換材料,包括經(jīng)Mn4+活化的氟化物熒光粉,其中該經(jīng)Mn4+活化的氟化物熒光粉含有片狀(sheet-like)結(jié)晶體且具有化學(xué)通式A2[MF6]:Mn4+,A為Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或上述的組合,M為Ge、Si、Sn、Ti、Zr或上述的組合。
2.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換材料,其中該經(jīng)Mn4+活化的氟化物熒光粉被峰值波長范圍300~470nm的光線激發(fā)后射出峰值波長范圍600~650nm的紅光。
3.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換材料,其中該經(jīng)Mn4+活化的氟化物熒光粉具有化學(xué)通式K2[TiF6]:Mn4+。
4.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換材料,其中該經(jīng)Mn4+活化的氟化物熒光粉的該片狀結(jié)晶體具有一厚度d,該片狀結(jié)晶體的一結(jié)晶平面上具有一最大長度a,其中該最大長度a定義為該結(jié)晶平面的邊緣上最遠(yuǎn)兩端點(diǎn)之間的距離,且2.5<a/d≤100。
5.如權(quán)利要求4所述的波長轉(zhuǎn)換材料,其中該片狀結(jié)晶體具有大致平行的兩該結(jié)晶平面,該兩結(jié)晶平面之間具有該厚度d,且該兩結(jié)晶平面其中之一具有該最大長度a。
6.如權(quán)利要求4所述的波長轉(zhuǎn)換材料,其中該片狀結(jié)晶體的該結(jié)晶平面垂直于一厚度方向,a=5~200um。
7.如權(quán)利要求4所述的波長轉(zhuǎn)換材料,其中8≤a/d≤35。
8.如權(quán)利要求1所述的波長轉(zhuǎn)換材料,其中該片狀結(jié)晶體具有一多邊形結(jié)晶平面。
9.一種具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,包括:
提供一第一溶液,其中該第一溶液包括Mn及A元素的前驅(qū)物,該Mn及A元素的前驅(qū)物是氟化物,該A元素包括Li、Na、K、Rb、Cs、NH4或上述的組合;
提供一第二溶液,其中該第二溶液包括一極性溶劑與一M元素的前驅(qū)物,該M元素包括Ge、Si、Sn、Ti、Zr或上述的組合;以及
混合該第一溶液與該第二溶液,以得到具有片狀結(jié)晶體的該氟化物熒光粉。
10.如權(quán)利要求9所述的具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,其中該第一溶液的該Mn及A元素的前驅(qū)物包括KHF2、K2MnF6。
11.如權(quán)利要求9所述的具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,其中該第一溶液還包括HF溶劑。
12.如權(quán)利要求9所述的具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,其中該第二溶液的該M元素的前驅(qū)物包括M元素的異丙醇鹽。
13.如權(quán)利要求12所述的具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,其中該M元素的異丙醇鹽包括異丙醇鈦。
14.如權(quán)利要求9所述的具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,其中該第二溶液的該極性溶劑包括醇類溶劑。
15.如權(quán)利要求9所述的具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,其中該氟化物熒光粉是以共沉淀法制造。
16.如權(quán)利要求9所述的具有片狀結(jié)晶體的氟化物熒光粉的制造方法,還包括在該混合該第一溶液與該第二溶液之后,進(jìn)行清洗及干燥步驟。
17.一種發(fā)光裝置,包括:
發(fā)光二極管芯片;以及
波長轉(zhuǎn)換材料,可被該發(fā)光二極管芯片射出的第一光線激發(fā)而發(fā)出不同于該第一光線的波長的第二光線,其中該波長轉(zhuǎn)換材料是如權(quán)利要求1至8其中的任一項(xiàng)所述的波長轉(zhuǎn)換材料。
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