[發(fā)明專利]薄膜磁阻器件以及單片集成電路有效

申請(qǐng)?zhí)枺?/td>	201610995575.0	申請(qǐng)日：	2016-11-11
公開(kāi)（公告）號(hào)：	CN106684078B	公開(kāi)（公告）日：	2020-05-19
發(fā)明（設(shè)計(jì)）人：	J·庫(kù)比克;S·P·威斯頓;P·M·朵蘭	申請(qǐng)（專利權(quán)）人：	亞德諾半導(dǎo)體集團(tuán)
主分類號(hào)：	H01L27/00	分類號(hào)：	H01L27/00
代理公司：	中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038	代理人：	劉倜
地址：	百慕大群島(***	國(guó)省代碼：	暫無(wú)信息
權(quán)利要求書：	查看更多	說(shuō)明書：	查看更多
摘要：
搜索關(guān)鍵詞：	薄膜磁阻器件以及單片集成電路
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專利分類

H 電學(xué)

H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的

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