[發明專利]加熱器模塊、薄膜沉積裝置及方法

在審

• 申請號: 201610995091.6
• 申請日: 2016-11-11
• 公開（公告）號: CN108070848A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 莊鎮宇;章詠湟;王鶴偉;魏松煙;鄭嘉晉
• 申請（專利權）人: 優材科技有限公司
• 主分類號: C23C16/46
• 分類號: C23C16/46;C23C16/455
• 代理公司: 北京華夏正合知識產權代理事務所(普通合伙) 11017
• 代理人: 韓登營;張煥亮

1.一種加熱器模塊，應用于薄膜沉積裝置，該加熱器模塊包括：

氣體混合室，包括至少一個氣體分散板及一擋板，該擋板設置于該氣體分散板上方；

反應室，設置于所述氣體混合室下游，并與所述氣體混合室相連通；以及

加熱器，與所述氣體混合室相鄰設置。

2.根據權利要求1所述的加熱器模塊，其中所述氣體混合室還包括復數個進氣通道。

3.根據權利要求1所述的加熱器模塊，其中所述氣體分散板具有復數個通孔。

4.根據權利要求1所述的加熱器模塊，其中所述加熱器至少包括以下之一或其任意組合：燈泡、燈管、加熱線圈。

5.根據權利要求1所述的加熱器模塊，其中所述擋板為石英板。

6.一種薄膜沉積裝置，包括：

制程腔室，包括：

基座；及

如權利要求1至5任一所述的加熱器模塊；以及

至少一個氣體供應管路，與該加熱器模塊相連接。

7.根據權利要求6所述的薄膜沉積裝置，其中該薄膜沉積裝置為冷壁式(cold-wall)化學氣相沉積裝置。

8.一種薄膜沉積方法，包括以下步驟：

加熱基板至反應溫度；

提供第一反應氣體及第二反應氣體；

隔絕該第一反應氣體及該第二反應氣體；

使該第一反應氣體及該第二反應氣體保持于預熱溫度；

于該預熱溫度下，混合該第一反應氣體及該第二反應氣體以進行成膜反應；以及

于該基板上沉積薄膜。

9.根據權利要求8所述的薄膜沉積方法，其中所述提供第一反應氣體及第二反應氣體的步驟還包括：

加熱第一前驅物至第一溫度，以產生所述第一反應氣體；以及

加熱第二前驅物至第二溫度，以產生所述第二反應氣體。

10.根據權利要求8所述的薄膜沉積方法，其中所述預熱溫度為500～800℃。

11.根據權利要求9所述的薄膜沉積方法，其中所述第一前驅物為過渡金屬化合物。

12.根據權利要求9所述的薄膜沉積方法，其中所述第二前驅物包括以下其一：硫、硒、碲等硫族元素。