[發(fā)明專利]水位檢測終端的信號調(diào)理器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610994804.7
• 申請日: 2016-11-11
• 公開（公告）號: CN108072420A
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾國春
• 申請（專利權(quán)）人: 曾國春
• 主分類號: G01F23/22
• 分類號: G01F23/22
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了水位檢測終端的信號調(diào)理器，包括NMOS管一、NMOS管二、NMOS管三、NMOS管四、電阻三、電阻四、電容一及電容二，電容二兩端分別串聯(lián)電阻三和電阻四后與電容一并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有電阻三的一端與NMOS管三漏極和NMOS管四漏極之間的線路連接，其另一端接地，NMOS管一和NMOS管二兩者的柵極均與電容二和電阻四之間的線路連接。采用上述結(jié)構(gòu)，整體結(jié)構(gòu)簡單，便于實(shí)現(xiàn)，且在實(shí)現(xiàn)天線的電壓限壓時(shí)不會對功率產(chǎn)生影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及水位檢測技術(shù)，具體是水位檢測終端的信號調(diào)理器。

背景技術(shù)

目前人們常常通過對江河、湖泊、水庫、河口、渠道、船閘及各種水工建筑物處水位進(jìn)行測量，來實(shí)現(xiàn)對水文系統(tǒng)的監(jiān)測。具體檢測時(shí)由傳感器采集數(shù)據(jù)，并上傳至匯集中心站，中心站根據(jù)匯集的數(shù)據(jù)進(jìn)行模型演算進(jìn)行預(yù)警服務(wù)。現(xiàn)有水位檢測終端應(yīng)用時(shí)，其受檢測距離的影響，檢測到的電壓信號會在較大范圍內(nèi)波動(dòng)，而電壓過大時(shí)易對水位檢測終端內(nèi)部元器件造成損傷，因此，將將檢測到的電壓信號限制在一定范圍之內(nèi)尤其必要。最簡單直接的限壓措施是降低耦合系數(shù)，現(xiàn)今人們常常通過調(diào)整水位檢測終端的輸入電容來降低耦合系數(shù)，然而，改水位檢測終端的輸入電容，即是改變諧振頻率，降低耦合系數(shù)，水位檢測終端中傳送的功率也會降低，在大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)中電容的實(shí)現(xiàn)會占用較大的芯片面積，而且電容的參數(shù)浮動(dòng)相對較大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種便于操作控制，結(jié)構(gòu)簡單，且在進(jìn)行電壓限壓時(shí)不會影響傳送功率的水位檢測終端的信號調(diào)理器。

本發(fā)明的目的主要通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：水位檢測終端的信號調(diào)理器，包括NMOS管一、NMOS管二、NMOS管三、NMOS管四、電阻三、電阻四、電容一及電容二，NMOS管三和NMOS管四均為二極管連接的MOS管，所述NMOS管三的漏極和源極分別與NMOS管四漏極和NMOS管一漏極連接，NMOS管二的漏極與NMOS管四源極連接，NMOS管一源極和NMOS管二源極均接地，所述電容二兩端分別串聯(lián)電阻三和電阻四后與電容一并聯(lián)構(gòu)成串并聯(lián)線路，該串并聯(lián)線路設(shè)有電阻三的一端與NMOS管三漏極和NMOS管四極之間的線路連接，其另一端接地，所述NMOS管一和NMOS管二兩者的柵極均與電容二和電阻四之間的線路連接；所述NMOS管一漏極和NMOS管三源極之間的線路上連接有信號輸入線路一，NMOS管二漏極與NMOS管四漏極之間的線路上連接有信號輸入線路二。其中，本發(fā)明在應(yīng)用時(shí)，信號輸入線路一和信號輸入線路二用于外接天線。本發(fā)明中二極管連接的MOS管是將MOS管的柵極和源極連接在一起，由于MOS管在一定電壓下存在漏電流，所以本發(fā)明中二極管連接的MOS管用來模擬一個(gè)阻值很大的電阻，并且可以通過調(diào)整MOS管的參數(shù)來實(shí)現(xiàn)對阻值的控制。

所述NMOS管一漏極和NMOS管三源極之間的線路上連接有電阻一；所述NMOS管二漏極與NMOS管四源極之間的線路上連接有電阻二。

所述信號輸入線路一連接在電阻一與NMOS管一漏極之間的線路上；所述信號輸入線路二連接在電阻二與NMOS管二漏極之間的線路上。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果：本發(fā)明整體結(jié)構(gòu)簡單，使用電子元件的數(shù)量少，集成在模塊上時(shí)體積小，便于實(shí)現(xiàn)、成本低，且本發(fā)明在應(yīng)用時(shí)通過提高NMOS管一和第二增強(qiáng)型場效應(yīng)管的柵極電壓，不會對功率產(chǎn)生影響，在輸入電壓高于一定電壓值時(shí)使并聯(lián)分流電路導(dǎo)通，使電路的電流變大，從而使電壓穩(wěn)壓在一定的范圍內(nèi)。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中附圖標(biāo)記所對應(yīng)的名稱為：N1—NMOS管一，N2—NMOS管二，N3—NMOS管三，N4—NMOS管四，C1—電容一，C2—電容二，R1—電阻一，R2—電阻二，R3—電阻三，R4—電阻四，Ant1—信號輸入線路一，Ant2—信號輸入線路二。

具體實(shí)施方式