[發明專利]具有陰離子隔膜的惰性陽極電鍍處理器和補充器有效
| 申請號: | 201610994437.0 | 申請日: | 2016-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN106929900B | 公開(公告)日: | 2020-08-07 |
| 發明(設計)人: | 保羅·R·麥克休;格雷戈里·J·威爾遜 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | C25D17/00 | 分類號: | C25D17/00;C25D21/14;C25D7/12 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 陰離子 隔膜 惰性 陽極 電鍍 處理器 補充 | ||
1.一種電鍍系統,所述電鍍系統包含:
處理器,所述處理器具有電鍍容器,所述電鍍容器含有第一處理器隔室和第二處理器隔室,所述第二處理器隔室含有陽極電解液,并且所述第一處理器隔室含有陰極電解液,所述陽極電解液由處理器陰離子隔膜與所述陰極電解液分離,并且所述陰極電解液包括金屬離子;
至少一個惰性陽極,所述惰性陽極與所述第二處理器隔室中的陽極電解液接觸;
頭部,所述頭部用于固持晶片,所述晶片具有與所述陰極電解液接觸的導電種晶層;
接觸環,所述接觸環具有用于與所述導電種晶層進行電接觸的電接觸件,所述電接觸件與負電壓源連接,并且所述接觸環在所述頭部上,其中所述第一處理器隔室進一步包含靠近所述第一處理器隔室頂部的竊流電極,所述竊流電極與經選擇以影響圍繞所述晶片的周邊的電場的第二陰極電流源連接;和
補充器,所述補充器包括:
第一補充器隔室,經由第一供應線和返回線與所述第一處理器隔室連接,所述第一補充器隔室含有所述陰極電解液和塊體金屬;
第二補充器隔室,經由第二供應線和返回線與所述第二處理器隔室連接,所述第二補充器隔室含有所述陽極電解液和惰性陰極;
補充器陰離子隔膜,所述補充器陰離子隔膜將所述第一補充器隔室中的所述陰極電解液與所述第二補充器隔室中的所述陽極電解液分離,
其中所述補充器僅容納所述陰極電解液和所述陽極電解液,并且不容納其它電解液。
2.如權利要求1所述的系統,所述惰性陰極包含包鉑絲網或面板。
3.如權利要求1所述的系統,所述處理器陰離子隔膜水平且所述補充器陰離子隔膜垂直。
4.如權利要求1所述的系統,其中所述塊體金屬包含銅且所述陰離子包含硫酸根。
5.如權利要求1所述的系統,其中所述補充器僅具有所述第一補充器隔室和所述第二補充器隔室。
6.如權利要求1所述的系統,進一步包括在所述補充器中的支持所述補充器陰離子隔膜的流篩網。
7.如權利要求6所述的系統,所述補充器陰離子隔膜嵌入在所述流篩網中。
8.如權利要求7所述的系統,所述塊體金屬在所述第一補充器隔室的側壁上的固持件中。
9.如權利要求8所述的系統,所述流篩網接觸所述固持件和所述惰性陰極。
10.如權利要求1所述的系統,所述處理器陰離子隔膜和所述補充器陰離子隔膜包含相同的隔膜材料。
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