[發明專利]低導通電阻和較低的總柵極電荷的LDMOS及其制備工藝在審
| 申請號： | 201610991243.5 | 申請日： | 2016-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN106684150A | 公開（公告）日： | 2017-05-17 |
| 發明（設計）人： | 吳楊 | 申請（專利權）人： | 西安陽曉電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L21/336;H01L23/58;H01L21/768 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標代理有限公司61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710077 陜西省西安市高新*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 通電 柵極 電荷 ldmos 及其 制備 工藝 | ||
【說明書】：
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