[發明專利]一種提高摻雜類金剛石膜層質量的方法

有效

• 申請號: 201610990847.8
• 申請日: 2016-11-10
• 公開（公告）號: CN106756868B
• 公開（公告）日: 2019-07-09
• 發明（設計）人: 廖斌;歐陽曉平;張旭;吳先映;韓然;張豐收
• 申請（專利權）人: 北京師范大學
• 主分類號: C23C16/26
• 分類號: C23C16/26;C23C16/50
• 代理公司: 北京億騰知識產權代理事務所(普通合伙) 11309
• 代理人: 陳霽

1.一種提高摻雜類金剛膜層質量的方法，所述金剛膜層基于弧光放電技術的磁過濾等離子體沉積方法制備而成；其特征在于，在工件上等離子體化學氣相沉積摻雜類金剛膜層之前，在所述工件周圍設置屏蔽裝置，所述屏蔽裝置具有開口，且所述開口正對等離子體出口；在等離子體化學氣相沉積摻雜類金剛膜層過中，所述屏蔽裝置不隨所述工件旋轉，但與所述工件等電位；

通過所述屏蔽裝置，只接收正對磁過濾出口位置的等離子體密度強的離子沉積；等離子體密度分布極度不均勻位置的工件周圍不進行沉積，直接被屏蔽裝置所屏蔽；

其中，所述屏蔽裝置開口的開口角度可調，且可調角度范圍為60°～180°，進而控制膜層硬度及摩擦系數和/或精確控制膜層中元素的比例。