[發(fā)明專(zhuān)利]墊片、晶圓堆疊結(jié)構(gòu)、吸附式移動(dòng)裝置與晶圓移動(dòng)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610989664.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108074848B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王勝弘;王文忠 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 致茂電子(蘇州)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/677 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/677;H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國(guó) |
| 地址: | 215011 江蘇省蘇州市*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 墊片 堆疊 結(jié)構(gòu) 吸附 移動(dòng) 裝置 方法 | ||
一種墊片、晶圓堆疊結(jié)構(gòu)、吸附式移動(dòng)裝置與晶圓移動(dòng)方法,晶圓堆疊結(jié)構(gòu),包含至少二墊片與一晶圓。各墊片包含一內(nèi)圈部與一外圈部。內(nèi)圈部具有多個(gè)貫孔,外圈部圍繞內(nèi)圈部。晶圓位于二墊片之間。此外,本發(fā)明還揭露了可適用于前述晶圓堆疊結(jié)構(gòu)的吸附式移動(dòng)裝置與晶圓移動(dòng)方法,使得晶圓可藉由隔著墊片的方式來(lái)移動(dòng)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種墊片、晶圓堆疊結(jié)構(gòu)、吸附式移動(dòng)裝置與使用其之晶圓移動(dòng)方法,特別是一種用于晶圓檢測(cè)的墊片、晶圓堆疊結(jié)構(gòu)、吸附式移動(dòng)裝置與晶圓移動(dòng)方法。
背景技術(shù)
自晶柱切割成薄片狀晶圓(wafer)后,晶圓還需先經(jīng)過(guò)晶圓處理工藝(WaferFabrication),再經(jīng)由針測(cè)工藝(Wafer Probe)以找出晶圓上不合格的晶粒及依照針測(cè)結(jié)果對(duì)合格的晶粒電性分類(lèi)。其中,在晶圓進(jìn)行針測(cè)工藝前,處理好的晶圓需移動(dòng)至晶圓夾頭(wafer chuck)上等待檢測(cè)。
傳統(tǒng)上,是采用人工手動(dòng)的方式將晶圓搬移至晶圓夾頭,但人工的穩(wěn)定度低,拿取晶圓時(shí)很容易接觸到晶圓表面而增加損傷、污染晶圓的機(jī)率,并且,人工的方式也容易因力道過(guò)大或拿取不穩(wěn)而不慎讓晶圓脆裂或?qū)⒕A摔破。且可理解的是,當(dāng)拿取較薄的晶圓時(shí),將會(huì)加劇上述人為因素所造成的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種墊片、晶圓堆疊結(jié)構(gòu)、吸附式移動(dòng)裝置與使用其的晶圓移動(dòng)方法,使得晶圓可隔著墊片的方式進(jìn)行移動(dòng),使得晶圓在搬移的過(guò)程中被妥善保護(hù),以解決前述傳統(tǒng)上以人工搬運(yùn)晶圓所產(chǎn)生的問(wèn)題。
根據(jù)本發(fā)明所揭露的一種墊片(spacer),適于保護(hù)一晶圓(wafer)。墊片包含一內(nèi)圈部與外圈部。內(nèi)圈部具有多個(gè)貫孔。外圈部圍繞內(nèi)圈部。
根據(jù)本發(fā)明所揭露的一種晶圓堆疊結(jié)構(gòu),包含至少一如前所述的墊片與至少一晶圓。至少一晶圓位于至少一墊片的一側(cè)。
根據(jù)本發(fā)明所揭露的一種吸附式移動(dòng)裝置,用于移動(dòng)前述的晶圓堆疊結(jié)構(gòu)。吸附式移動(dòng)裝置包含一吸盤(pán)與一移動(dòng)機(jī)構(gòu)。吸盤(pán)具有一吸引面與多個(gè)氣孔。吸引面具有一內(nèi)圈區(qū)與一外圈區(qū)。外圈區(qū)圍繞內(nèi)圈區(qū)。氣孔位于內(nèi)圈區(qū)與外圈區(qū)。吸盤(pán)用以外接一真空產(chǎn)生器連通氣孔,以選擇性對(duì)內(nèi)圈區(qū)與外圈區(qū)至少其中一區(qū)的氣孔抽氣。移動(dòng)機(jī)構(gòu)連接于吸盤(pán)用以移動(dòng)吸盤(pán)。
根據(jù)本發(fā)明所揭露的一種晶圓移動(dòng)方法,包含:提供一如前所述的晶圓堆疊結(jié)構(gòu);提供一如前所述的吸附式移動(dòng)裝置,其中,吸盤(pán)的內(nèi)圈區(qū)與外圈區(qū)分別對(duì)應(yīng)墊片的內(nèi)圈部與外圈部;將至少一晶圓移至一檢測(cè)載臺(tái)。其中將至少一晶圓移至檢測(cè)載臺(tái)的步驟包含:至少對(duì)吸盤(pán)的該內(nèi)圈區(qū)的氣孔抽氣,以通過(guò)覆蓋于至少一晶圓上的墊片的貫孔吸附至少一晶圓;將至少一晶圓與覆蓋于至少一晶圓上的墊片一并移至檢測(cè)載臺(tái);對(duì)吸盤(pán)的外圈區(qū)的氣孔抽氣,且停止對(duì)吸盤(pán)的內(nèi)圈區(qū)的氣孔抽氣,以令吸盤(pán)僅吸附墊片的外圈部;以及將吸附于吸盤(pán)的墊片移出檢測(cè)載臺(tái)。
本發(fā)明所揭露的墊片、晶圓堆疊結(jié)構(gòu)、吸附式移動(dòng)裝置與使用其的晶圓移動(dòng)方法中,藉由吸盤(pán)可對(duì)內(nèi)外圈的氣孔選擇性抽氣的設(shè)計(jì)與墊片內(nèi)圈具有貫孔的設(shè)計(jì),吸盤(pán)可以隔著墊片的方式來(lái)拿取晶圓。例如,當(dāng)對(duì)吸盤(pán)內(nèi)圈的氣孔進(jìn)行抽氣時(shí),吸盤(pán)可隔著墊片一并將晶圓吸起,使得晶圓可在墊片的保護(hù)下被搬移;當(dāng)僅對(duì)吸盤(pán)外圈的氣孔進(jìn)行抽氣時(shí),吸盤(pán)則可單獨(dú)地將墊片吸起。如此一來(lái),晶圓在移動(dòng)的過(guò)程中都會(huì)受到妥善的保護(hù),可有效降低損傷晶圓的機(jī)率,并不會(huì)發(fā)生傳統(tǒng)上以人工搬運(yùn)所產(chǎn)生的問(wèn)題。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述,但不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
附圖說(shuō)明
圖1為根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的吸附式移動(dòng)裝置與晶圓堆疊結(jié)構(gòu)的示意圖;
圖2為圖1的吸附式移動(dòng)裝置的吸引面的平面示意圖;
圖3A與3B為圖1的墊片的平面示意圖;
圖4~12根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例所繪示的吸附式移動(dòng)裝置與晶圓堆疊結(jié)構(gòu)的使用示意圖。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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